看板 Stock作者 saygogo (45 35 25 買對下大抱緊)標題 [新聞] 力拚台積電，三星宣布 3 奈米 GAA 成功時間 Tue Jun 29 20:09:32 2021
力拚台積電，三星宣布 3 奈米 GAA 成功流片
https://technews.tw/2021/06/29/samsung-announces-3nm-gaa-tape-out/
2021.06.29 科技新報
技術論壇時台積電強調 3 奈米製程將照時程於 2022 下半年正式量產，競爭對手南韓三
星日前也表示，採用 GAA 架構的 3 奈米製程技術正式流片 (Tape Out)，對全球只有這
兩家能做到 5 奈米製程以下的半導體晶圓代工廠來說，較勁意味濃厚。
外媒報導，三星 3 奈米製程流片進度是與新思科技 (Synopsys) 合作，加速為 GAA 架
構的生產流程提供高度優化參考方法。因三星 3 奈米製程不同於台積電或英特爾的 Fi
nFET 架構，而是 GAA 架構，三星需要新設計和認證工具，因此採用新思科技的 Fusio
n Design Platform。製程技術的物理設計套件 (PDK) 已在 2019 年 5 月發表，並 20
20 年通過製程技術認證。預計此流程使三星 3 奈米 GAA 結構製程技術用於高性能運算
(HPC)、5G、行動和高階人工智慧 (AI) 應用晶片生產。
三星代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim 表示，三星代工是推動下一階段產業創新的
核心。三星將藉由不斷發展技術製程，滿足專業和廣泛市場增長的需求。三星電子最新
且先進的 3 奈米 GAA 製程技術，受惠於與新思科技合作，Fusion Design Platform 加
速準備，有效達成 3 奈米製程技術承諾，證明關鍵聯盟的重要性和優點。
新思科技數位設計部總經理 Shankar Krishnamoorthy 也表示，GAA 電晶體結構象徵著
製程技術進步的關鍵轉捩點，對保持下一波超大規模創新所需的策略至關重要。新思科
技與三星戰略合作支持提供一流技術和解決方案，確保發展趨勢延續，以及為半導體產
業提供機會。
GAA (Gate-all-around ) 架構是周邊環繞著 Gate 的 FinFET 架構。照專家觀點，GAA
架構的電晶體提供比 FinFET 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表
現在同等尺寸結構下，GAA 的溝道控制能力強化，尺寸進一步微縮更有可能性。相較傳
統 FinFET 溝道僅 3 面被柵極包覆，GAA 若以奈米線溝道設計為例，溝道整個外輪廓都
被柵極完全包裹，代表柵極對溝道的控制性更好。
3 奈米 GAA 製程技術有兩種架構，就是 3GAAE 和 3GAAP。這是兩款以奈米片的結構設
計，鰭中有多個橫向帶狀線。這種奈米片設計已被研究機構 IMEC 當作 FinFET 架構後
續產品進行大量研究，並由 IBM 與三星和格羅方德合作發展。三星指出，此技術具高度
可製造性，因利用約 90% FinFET 製造技術與設備，只需少量修改的光罩即可。另出色
的柵極可控性，比三星原本 FinFET 技術高 31%，且奈米片通道寬度可直接圖像化改變
，設計更有靈活性。
對台積電而言，GAAFET (Gate-all-around FETs ) 仍是未來發展路線。N3 技術節點，
尤其可能是 N2 節點使用 GAA 架構。目前正進行先進材料和電晶體結構的先導研究模式
，另先進 CMOS 研究，台積電 3 奈米和 2 奈米 CMOS 節點順利進行中。台積電還加強
先導性研發工作，重點放在 2 奈米以外節點，以及 3D 電晶體、新記憶體、low-R int
erconnect 等領域，有望為許多技術平台奠定生產基礎。台積電正在擴大 Fab 12 的研
發能力，目前 Fab 12 正在研究開發 N3、N2 甚至更高階製程節點。
心得：三星流片了？ GAA經驗值++++
我記得他們N3電晶體密度大概等於台積電的N5,至於良率就到時再看了
GG用5奈米finfat去硬扛三星3奈米GAA,這也太過份了
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※ 編輯: saygogo (1.200.120.31 臺灣), 06/29/2021 20:11:01
→ iamaq18c: GG明明就輕鬆扛....XD3F 06/29 20:11
推 sbob: 難怪台積電今天大漲，原來三星又做垃圾出來了5F 06/29 20:11
推 poisonB: 笑死 正式量產再說11F 06/29 20:13
噓 Gavatzky: 三星早就贏了 搶了高通跟輝達的訂單
哪天如果連AMD都跳槽 那台積電就完了13F 06/29 20:15
→ Gavatzky: 如果蘋果也因為政治壓力轉單16F 06/29 20:16
→ saygogo: GG：你用了GAA!?17F 06/29 20:16
→ borriss: 888超神 掰掰掰18F 06/29 20:17
噓 kl0408: 太棒了繼續出產垃圾 浪費三星的錢20F 06/29 20:20
推 lmu0837: 看看精美的高通88821F 06/29 20:21
→ Gavatzky: 製程其實根本沒差 訂單被搶走是事實24F 06/29 20:23
→ borriss: 888一月初到現在股價應該暴漲了吧(咦26F 06/29 20:25
推 aegis43210: 這第一代3nmGAAMBC不會太強，等3LPP出來再觀察28F 06/29 20:26
→ iamaq18c: 韓國自己都說贏不了GG 結果台灣人一直喊GG輸三星29F 06/29 20:26
推 Cliffx: 台積電慘了30F 06/29 20:27
→ piyieen: 丸子 蒸的丸子！！！31F 06/29 20:27
→ borriss: 888要發展挖礦才對32F 06/29 20:28
推 nangaluchen: 三星5奈米早量產了 只是他的良率沒2330高
但由於太便宜了 所以大家也是在搶產能
導致三星的5是滿的 只是三星的5約等於台積電的633F 06/29 20:28
→ Gavatzky: 高通跟輝達轉單給三星是事實啊36F 06/29 20:28
→ nangaluchen: 基本上 三星靠QCOM NVDA部分產品的轉單
他產能就滿到不行了 且他還有自己的單要做38F 06/29 20:29
推 jinx5566: GG真的沒救了，面板化 應該永遠都不可能突破600了40F 06/29 20:29
→ nangaluchen: 三星的3這樣看 22Q2有機會量產
他的3大概是2330的4 所以三星仍是落後一年42F 06/29 20:30
→ niniko: GG都在2奈米了，三星還在三奈米?44F 06/29 20:30
→ borriss: 所以是用便宜製程賺的錢進貢給GG才能打下一局(X45F 06/29 20:31
→ aegis43210: GG的目標是把GAA做到接近600MTr/mm^2的密度
三星可能做到300就了不起了49F 06/29 20:34
推 nangaluchen: 只不過 finfet製程摩爾定律逐漸失效的問題很大
雖然說2330仍然是技術最領先者
但只要三星願意降價
他製程的CP值是能跟2330拼的 搞不好更好一點54F 06/29 20:37
推 nangaluchen: 所以你可以看到 除了QCOM
大家都是把最高階的單 或給伺服器的單給2330
然後把中低階 消費性電子的單給三星61F 06/29 20:38
推 JuiFu617: 三星這次用888坑死高通了64F 06/29 20:39
→ xo1100: 所以良率高嗎65F 06/29 20:39
→ xo1100: 蘋果被三星婊過一次還會再轉單喔 騙笑欸70F 06/29 20:44
推 sansardo: 三星有在追，GG被用antitrust開刀的機率應該比較低71F 06/29 20:44
推 Cbibby: 新聞總是發很快 量產總是拖最慢 良率最後總是挫賽76F 06/29 20:48
噓 labell: 這家媒體看看就好78F 06/29 20:50
→ saygogo: GG 不講武德 所謂 做人留一線 日後好相見80F 06/29 20:51
噓 quartics: 成功tapeout, 結果良率只有10%82F 06/29 20:52
推 snowyba: 台灣梭哈所有菁英的GG要被追近了嗎84F 06/29 20:52
噓 dxdy: GAA吃屎 喊幾年了 技術嚇死人 良率笑死人86F 06/29 20:54
噓 Gavatzky: 台積電製程屌打三星還不是被轉單88F 06/29 20:59
→ Gavatzky: 真的沒差那一點效能，你也分不出來90F 06/29 20:59
推 lafel: 加油 總要有很強的對手才能顯示大GG的不可思議92F 06/29 21:00
→ Gavatzky: 輝達高通轉單是事實，為什麼不看清事實93F 06/29 21:00
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