看板 MobileComm
作者
標題 Re: [閒聊] 快充技術為何是提高電壓而非電流?
時間 Mon Aug 17 01:54:17 2015
作者
標題 Re: [閒聊] 快充技術為何是提高電壓而非電流?
時間 Mon Aug 17 01:54:17 2015
※ 引述《fbi0072004 (徵水龍使UID 271651536)》之銘言：
: 高通Quick Charge 2.0快充技術
: 能夠快速充電的原理主要是提高電壓
: 分別有9V/12V
: 所以在相同的電流下，更高的電壓有更高的功率
: 可是小弟好奇為何快速充電的技術，要選擇提高電壓而非提高電流呢?
: 只要給更高的電流例如3A、5A、10A
: 不是也可以快速的充電還不必更改標準的5V電壓?
: 這樣做是有什麼原因嗎?
一堆文組真可憐
快充一開始是提高電流沒錯
一樣5v
一代快充把電流從1.x加到2A
但如果要再提升充電效率
micro usb無法承受更高的電流
於是提高電壓變成勢在必行的
之所以提高電壓能加快充電速度
都在P=IV的公式中
你要提升P這個功率
就要從I或V著手
然後為什麼電流太高micro usb會受不了
你把那個接頭想像成一個電器
電流越大時由於P=I平方R
假如電流提升2倍
發熱就會是4倍
結論，為什麼發電廠要升壓來輸電？
就是這個原理，跟快充變9V一樣
請不要繼續傳播不實的謠言
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※ 同主題文章:
08-16 23:09
[自動轉寄] Re: [閒聊] 快充技術為何是提高電壓而非電流?
08-17 01:54
08-17 02:15
推 : 所以你的論點跟前面大家說的有什麼不一樣嗎？1F 08/17 01:59
→ : oppo的閃充好像是4A喔2F 08/17 02:01
推 : 上面推文都說完了 而且還戰文組真的很無聊
那麼愛戰你應該去八卦版 酸文組不會讓自己顯得優越3F 08/17 02:01
那麼愛戰你應該去八卦版 酸文組不會讓自己顯得優越3F 08/17 02:01
噓 : 這也不是你想出來的， 科科5F 08/17 02:05
推 : 話說，5V的工作電壓可以用標準CMOS，L=500nm
要耐9V必須用BCD製程，L=1200nm起跳，效率一定差6F 08/17 02:17
要耐9V必須用BCD製程，L=1200nm起跳，效率一定差6F 08/17 02:17
→ : 電廠用高壓電傳送是因為耗損低...8F 08/17 03:08
推 : 用高電壓可以降低USB的線阻損耗，但是.......9F 08/17 03:51
噓 : 沒必要酸文組吧！10F 08/17 04:05
→ : 半夜誰跟你戰阿下次請早11F 08/17 04:15
推 : 你說的東西文組也懂……12F 08/17 06:04
噓 : 看開頭 還以為要說多深的東西...13F 08/17 06:38
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