全球半導體製程技術領先族群—台積電、Samsung、Intel的頂尖賽局中，挑戰者不斷出招
進攻，台積電則積極防守、保衛、出擊，持續以先進製程領導者之姿保衛其客戶版圖，例
如台積電計畫在2奈米製程節點採用GAAFET電晶體、2026年發布N2P製程將引進Nanosheet
GAA電晶體並添加背面電源軌技術，公司有信心2奈米製程將在功率、性能、面積上相較於
競爭對手可望全面勝出；同時台積電對於High-NA EUV機台祭出審慎的評估，規劃於1.4奈
米或2030年才開始導入；台積電也讓先進封裝成為公司搶奪AI訂單的利器，旗下3D

Fabric擁有CoWoS、InFO、SoIC等多種先進封裝流程。事實上，先進封裝為高階製程重要
的助攻推手，在提升晶片整合度、強化互聯、效能最佳化的過程中扮演關鍵推手的角色，
是效能持續提升的重要保障；更為因應地緣政治動盪的議題而著手進行部分產能分散的海
外布局，尤以日本熊本廠進程最為順利，故除了2024年業績展望令人期待外，中長期營運
能見度仍高，此皆顯示Intel、Samsung尚難以動搖台積電晶圓代工獨霸地位，惟晶圓代工
龍頭業者面對強敵環伺，也需審時度勢。

有鑑於GAA架構相較於傳統的FinFET架構，在效能、功耗和整合等方面具有顯著優勢，因
此Samsung於3奈米製程率先導入GAA架構，期望藉此超車台積電。確實Samsung的3奈米量
產時程較台積電早半年，不過以2024年首季而言，台積電3奈米製程應至少囊括全球95%以
上的高市佔率，原因在於Samsung 3奈米GAA架構的整體良率低於原先預期，讓IDM及IC設
計業者卻步，依舊選擇良率高、產量穩定增長的台積電。值得一提的是光刻機(微影)設備
的爭奪方面，Samsung不但大舉採購EUV機台，ASML更於2023年12月中旬與Samsung簽署備
忘錄，將共同投資1兆韓元在韓國建立研究中心，並將利用下一代EUV光刻機研究先進半導
體製程技術，此亦突顯Samsung的企圖心。至於Samsung也祭出價格優惠策略，雖然可掠奪
少部分客戶訂單，但規模仍有限，畢竟重量級大廠選擇晶圓代工廠的首要條件仍是製程良
率高低與穩定度，此部分依舊是台積電的強項。

Intel雖然仍有著美國政府回流本土製造為後盾，但本身在CPU、AI、晶圓代工業務等均有
難題需克服，同時礙於美國晶片法案補貼速度緩慢也致使Intel俄亥俄州晶圓廠也將延後
至2026年底完工

短期內Intel業績在資料中心和人工智慧事業部的情況恐不盡理想，甚至Intel的AI加速器
Gaudi系列仰賴收購，至於整合Gaudi與GPU的單一產品Falcon Shores也要到2025年才能問
世；而晶圓代工事業方面，雖然Intel開始安裝業界首個High-NA EUV光刻系統，以應對

Intel宣佈在Intel位於美國亞利桑那州的Ocotillo技術製造基地合作開發新的12奈米製程
平台，先進封裝客戶亦有五家，不過目前Intel在全球晶圓代工的市占率仍僅為個位數，
要挑戰台積電五成以上的市占率，以及以288種製程為532個客戶量產12,698個產品的能力
，依舊有相當大的差距。

若以新一波全球化的擴產佈局方面，Intel不論是在美國或是歐洲、以色列等地，均是宣
示將大舉投資，規模均遠高於台積電，不過實際上也遭遇不少困難，以美國來說，Intel
於2024年2月宣布將延後價值200億美元的俄亥俄州晶圓廠，延後至2026底興建完成，主要
係因市場面臨挑戰，且美國政府延後發放資金所致，更重要的是，大規模的產能開出也需
有相對應的客戶訂單，此恐是Intel未來將面臨的艱鉅挑戰。