作者 pl132 (pl132)
標題 [新聞]技術外流風險:SK 海力士再爆員工跳槽華
時間 Tue May 13 13:39:20 2025


技術外流風險:SK 海力士再爆員工跳槽華為洩密

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技術外流風險:SK 海力士再爆員工跳槽華為洩密 | TechNews 科技新報
[圖]
SK 海力士前(SK Hynix)員工因涉嫌將先進封裝技術非法轉移至華為子公司海斯半導體(HiSilicon),而被正式起訴。這些技術概括 3D NAND、高頻寬記憶體(HBM)、多晶片封裝以及 CMOS 影像感測器(CIS) 的關鍵封裝方法,凸顯了技術外流與高科技機密傳遞的風險。 這名韓國籍人士曾 ...

 

SK 海力士前(SK Hynix)員工因涉嫌將先進封裝技術非法轉移至華為子公司海斯半導體
(HiSilicon),而被正式起訴。這些技術概括 3D NAND、高頻寬記憶體(HBM)、多晶片
封裝以及 CMOS 影像感測器(CIS) 的關鍵封裝方法,凸顯了技術外流與高科技機密傳遞
的風險。


這名韓國籍人士曾在SK海力士任職,據稱於2022年應徵華為職位時,違規存取並盜用公司
內部數據,拍攝超過11,000張機密文件照片。調查發現,他試圖通過移除公司標識和保密
標籤來掩蓋資料來源。


雖然華為未明確要求該員工提供SK海力士的商業機密,但徵才過程中接受了這些資料。此
事件加劇韓國對半導體專業知識外流的憂慮,特別是在美國限制對中國先進半導體出口、
中國力求半導體自給自足的背景下。


這並非SK海力士員工首次因跳槽華為而盜竊智慧財產權。去年,另一名員工因攜帶4,000
份機密文件至華為,被判處18個月有期徒刑並罰款。此案持續受到關注,因其涉及全球半
導體產業競爭與知識產權保護的重大議題。


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※ 作者: pl132 2025-05-13 13:39:20
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rogergon: 是海思吧?看到海斯有點想笑。1F 49.218.210.167 台灣 05/13 13:56
good5755: 不意外2F 223.137.183.98 台灣 05/13 15:03
pf775: 韓國人有技術?3F 223.140.151.227 台灣 05/13 16:03
samarium: 這就是遙遙領先的真相喔,真的快被中國人笑死4F 101.12.147.202 台灣 05/13 16:18
rodion: 想到蘇媽說的"中國有很多種途徑可以達成目標"...6F 136.226.241.23 台灣 05/13 16:22
magamanzero: 不EY阿 OLED和記憶體都是被幹走的8F 60.248.126.193 台灣 05/13 16:31
yunf: 我不信韓國也會有為了錢背判國家的背骨仔
叛*9F 49.216.19.238 台灣 05/13 16:49
GiantChicken: 除非錢給得實在太多了12F 1.163.32.42 台灣 05/13 19:20

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