作者 toptalent ()標題 [請益] 請問MRAM RRAM 未來發展與市場時間 Fri Jul 4 21:27:30 2025
MRAM：磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory）
RRAM:電阻式隨機存取記憶體（Resistive Random Access Memory）
都是新興的記憶體技術
想請問板上專家們，如何看這兩種記憶體技術的發展如何？
是否未來未來會很有市場
感覺可能可以吃到未來的edge AI的市場？
不知道版友們怎麼看，謝謝
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.137.254.183 (臺灣)
※ 作者: toptalent 2025-07-04 21:27:30
※ 文章代碼(AID): #1ePzR4C1 (Tech_Job)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1751635652.A.301.html
推 oysteromele: 兩個記憶體取代DRAM高功耗。但DRAM市場捲的差不多了。如果量產[會挑戰PC既有的配置]未來我選2,磁阻技術目前只有在MEMS(螺旋儀）比較成熟，電阻技術比較好控制。個人淺見！1F 36.236.253.115 台灣 07/04 22:13
噓 pf775: 都會被臺積電屌打吧6F 114.136.130.21 台灣 07/04 22:47
→ oysteromele: G的新聞稿有…你可以自己查XD7F 36.236.253.115 台灣 07/04 22:50
推 tony890415: eflash 的升級版吧8F 39.12.41.19 台灣 07/05 01:21
→ jumpout: RRAM未來大於MRAM, 都已有產品量產但能否爆量還難說, 其他請見台積說法。9F 176.2.184.128 德國 07/05 01:26
推 Narcissussss: 台積不是有部門在做RRAM11F 101.12.234.162 台灣 07/05 03:50
推 kyle5241: 你是不知道這些最強的都是GG嗎…
車用晶片都是用它們的。製程最先進
國家也是它們的，好像已經做到20奈
米了12F 180.177.1.138 台灣 07/05 07:21
推 twTesla: 直接看GG的論壇或新聞稿16F 27.52.6.71 台灣 07/05 09:29
→ douge: 氧化物最近有很多突破 選RRAM17F 140.112.175.204 台灣 07/05 09:33
推 OFETMAN: 兩個性價比都很低 取代dram作夢，特殊應用就潮而已也不是非它們不可，現況如此但未來不好說，真要比 R比較有希望18F 42.72.155.2 台灣 07/05 13:45
--