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※ 引述《MSE2005 (混吃等老死)》之銘言：
: 今天跟友人聊到這話題, 突然有點腦袋當機的fu,
: 講到Dram, logic IC, 大家都可以馬上反應出是哪些公司在做,
: 哪些是該領域技術領先者,
: 但是仔細想想, 對工程師而言, 不管你是在TSMC或是在美光,
: 一樣式做黃光, 蝕刻, 電鍍.....
: 那兩者差別在哪?
: 我可以這樣說嗎?
: 同樣是木工跟水電, 上面設計師不一樣(dram, logic),
: 所以有些去蓋巨蛋, 有些去蓋高鐵, 有些去蓋豪宅,
: 雖然都是水電木工, 但是後來分化的強項就不一樣
: 還是說, dram比較像是專門生產系統櫃的公司,
: 然後logic比較像是統包監工(室內設計師)要把不同的家具系統櫃最美化
: dram一樣有線寬競爭 (雖然該線寬的定義跟logic不同)
: TSMC一樣有接dram的單....所以表示TSMC要發展dram也不是不可能,
: 那麼, 台灣會輸掉dram的原因是什麼?

原文的推文中，其實多少有提到兩者的差異性。

這樣說好了，DRAM或是其他所謂的記憶體製程，所注重的是〔前段製程〕，



精華所在，如果連cell都長不好，遑論其他的部份。至於DRAM cell以外的周邊電路
只要可以正常操作就已足夠，因為公司也沒太多錢讓你去燒...。

這些製程考量的差義，自然而然就會反應在電路設計上。

(一個使用全新的製程所設計的記憶體產品從design start到Tapeout可能需要8~12個月，
 相對而言，邏輯產品可能就短的多了)

再者，你也提到一個差異點，好比我們稱這是XX奈米的製程，這些數字:
對邏輯產品而言，指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length)
對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離
這些都是不同的意義。(搞不好，有些人都分不清上述的區別！)

另外，台積當然可以搞個DRAM製程。別說是DRAM, Flash/PCM/ReRAM也都沒問題，畢竟
這些記憶體產品都是相容於CMOS製程，差在於多幾層光罩而已。(當然啦，多這幾層光罩
就能搞得你不要不要的~~)

只是，這要花多少錢？畢竟公司是以賺錢為目的，記憶體市場的代工利潤是不是夠好？


台灣DRAM廠多半只能尋求歐美日的結盟，簽簽技轉，空個產能出來...畢竟現在
要趕上世代的落差已是不可能的事...。

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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反向工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign  and Die   :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework  and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話！
4.Relax   and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就要有schedule delay的準備！
但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割！

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