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原文標題：
三星電子公佈2及3奈米GAA製程時間表 超車台積電？
                                      (請勿刪減原文標題)  
原文連結：
https://bit.ly/3uQlq6P
                                      (請善用縮網址工具)
發布時間：
2021年10月7日
                                      (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容：
三星電子於2021年10月7日在其第五屆年度三星代工論壇（5th Annual Samsung Foundry
Forum；SFF）上，公佈3奈米和2奈米（nm）節點製程計劃。

三星電子總裁兼代工業務負責人Choi Si-young表示：

三星新先進奈米技術將採用GAA電晶體結構，首批基於3奈米晶片計劃於2022 年上半年開
始生產，而其第二代3nm晶片預計將於2023年生產。

至於，2奈米作為三星技術路線圖中的新成員，具有多橋溝道 FET（MBCFET）處於早期開
發的階段，預計2025年量產。

今年論壇的主題是“增加一個維度”(Adding One More Dimension)，預計為期多天的虛
擬線上論壇將吸引超過2,000名全球客戶和合作夥伴，三星將分享其願景及代工業務。




43%，性能提高了39%或功率效率提高了49%。



結語






三星在代工論壇上公布最新時間表，預計2025年開始量產2奈米晶片，強調其GAA技術，以
突破台積電市場領先地位。



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