韓國三星電子日前罕見地在美國Santa Clara舉辦的「Flash Memory Summit 2016」公開尚
未量產的1TB容量的Z NAND SSD（如圖一）產品。此舉被半導體業者解讀為想要牽制Intel
與美光陣營。由於先前Intel大動作宣布要再進入睽違30年的記憶體市場，並與美光合作推
出新型3D Memory Cross Point產品。業界推測此舉讓三星電子倍感壓力，故不得不提前把
尚在開發中的產品消息公開，試圖杜絕Intel與美光聯手改變SSD市場版圖。

三星電子這次公開Z NAND SSD是適合高性能數據中心（Data Center）使用的記憶體，與三
星電子現行產品的技術地圖方向不同。由於Z NAND SSD是採用三星電子特有的3D垂直構造
的V NAND晶片，連續讀取速度為每秒2.56GB、延遲速度僅7.5微秒，相較於三星現有的SSD
產品，連續讀取速度快上1.6倍、延遲速度縮短了4倍，此產品預計會在年底前量產上市。
此外，記憶體部門還表態次世代的主力產品將會是64層的512GB NAND Flash產品。

Intel與美光開發出相變化記憶體（PRAM）類型的Cross Point技術，並藉以製造出新型SSD
產品，使得SSD市場龍頭的三星電子不得不提前把和功能相仿的Z NAND SSD提前亮相。儘管
Z NAND SSD尚未明確上市日期，但售價預計會比現有的TLC Flash貴、比Cross Point便宜
，藉此讓三星電子的性價比更具市場競爭力。畢竟三星電子的V NAND技術已經成熟且取得
相關業者的肯定，但Intel的Cross Point技術是性能尚未實際驗證過的新興技術，在價格
相對偏高的情況下，客戶的選擇顯而易見。

三星電子如此看重SSD市場是因為DRAM價格持續下跌，導致半導體的利潤大幅縮水，反而高
性能SSD市場因為大數據興起，數據中心設立增加進而促使SSD市場規模急速上升。根據市
場調查機構Gartner的報告，全球SSD市場規模可望從2013年的110億美元成長到2017年的