---

(地特)幾乎偏壓都浮動
先說對的解法,BJT工作方式是雙源有VBB和VCC
。輸入端和輸出端各自有一個Load line
也是常用書本上的解法。除非能找到不
是用節點電位程式的解法,正常書本
都是找節點電位唯一的解法,也就是
VCEQ是先有解的。當然VBEQ也是VBB這source
及輸入負載造出來的,也是有個偏壓解。
書本是先測定偏壓電路,再輸入小訊號。
想也是先電源開機,訊號是後來者還可繼續工作的選項。
不太可能最後才試current sink,又用動態輸入。
地特五、一個 n-p-n BJT 電晶體，其 iC-vBE 特性為 iC = IS（exp(vBE/VT)-1）；其中 IS = 10-14 A，
VT = 25 mV。求電晶體在 vBE = 0.7 V 時的小信號互導 gm？若電流增益 β = 100，分別
求由射極端以及基極端視入的射基極動態電阻？

地特硬要用0.7v單源去開BJT工作點,是窮人所難。
要試出各學校的作法,及可能等效專利創造法。
再怎麼想兩個未知數,兩個等式是很正常。
但想一想0.7v是一條直線,輸入用ＶBE=0.7v
這條直線也是有交叉點。有報導李玩這臺彎已內
不解了三十年,實際上配線才出現一點點。
伏安特性用exp函數,又給了0.7v可能是負載直線也
可能是VBE的工作電位差的大猜謎。
一個未知數一個等式,還是三個未知三個等式
應該很容易看出來題目是錯的而且整份都是,
直流不工作又要叫小訊號動態工作。
改評分的人當然看不懂,因為題目根本是錯的。
大概把一些增量 顯函數 隱函數 全導微 偏導微
反變下標基底 共變上標基底及其展式可能是ＶBEQ解
全部打錯,評者根本沒看題目那些條件根本不存在
。事實也是有ＶCEQ或ＶBCQ,實際上離散基本電路
要偏壓電路的電路才可能工作。給偏壓電流手動演算可,
靜態工作點不一定可以。第二題也是工作電壓沒給地齊全
,電流源不一定有,像設計公司騙老闆。相當
ＶCEQ的ＶDSQ在第二題反而給V
ov絶對值。題目費了很大的勁讓程式跑不動,
這情形叫節點node is floating ,其實第一題也是
。因為小訊號是稱回授,因為書本用迴授的解法太長
。沒有人像市長那樣空閒寫這個,如果寫這樣算對嗎。
為何每題都是floating給人錯,迴授很好希望
有人寫。還是因為vo也是個source,在小訊號不是
vce等於零這個寫法看不懂,要i一路打進去。因為
在第一題節點電位算法,在學校很多人試過是和老
師相同。第二種方法老師都不看,至於第三種或第
四種是不是相同。編題目不是在這一份,但解答有
可能在這一份。 刻意找書本畫不全ib=(1-α)ie,vs的rin是哪一個。
  那為何業界要叫經濟部份後辦這些呢,配線就在上面一路打過去就可。
袛是第三種到第五種也可能到第六種,也許都無反射嗎?
還是反覆代入讓人無法理解,注意書本是用牛頓求根法不是
手動式求I求V反覆代入,這已是三四種解法了以後了。您在市
面上拿到電晶體電源是掛在哪位上,大概不會用浮動的偏壓。
　　這有可能是設計公司的作法，把方塊掛在別人家的
的電源。然後取什麼電流,最後有個對數工作電壓。做
像第二題是自家無點工作,不合理在最後掛上,用第三
題做法稍微對一點B-C介面少用偏壓,第四題方塊相反的
無法過,第五題再把各投資者新型專利申請最後搏一騙。

(路特普)第一題或最後一題
若電晶體的共射極電流放大倍數β = 100
及逆向飽和電流Is = 5× 10-15 A
~題目根本設定沒有這東西
[解說]其實共射極電流放大倍是β+1
一般書本電晶體測定都是ＩCBO
按定義是要在集極測定
但為何一般書沒有ＩEBO
是有ＩCEO
BJT是雙源有兩個開關,
逆向飽和電流也是有兩個開關來控制
要辦法測定兩開關四組合
Ebers-Moll Model 也是有兩項 Is/αF
及Is
題目是想要diode那個
αF αR都有的話就是係數都有了
兩個變數兩個等式就可以解
研究所那資料比較
diode哪一個所量出來比較大
其實這是一個很大疑問
又哪一個研究所取偏旁取到全倒
典型四個到八個又是哪一個研究所是對的

正常定義答案
大部份答案資料是
解說就寫負緣完才達Q
圖英文解釋是正緣是正才送 課文是負才送
要的是IC手冊上那一個但那個課文沒有資料解釋大部份是負的才送
擡灣全錯的有可能
題目定條件相反定義的R-S 原文書正常S-R比較多
很少出現的對應源ＶBEＩEBＩEC 單邊相反出現
因為兩邊同時相反書本才寫ＶBE和不必ＩCE而寫ＩC
又不知道是哪個研所又在搞分裂的試題或實驗
還是實驗成功玩大家 又是正緣正的才送故意找反的來送大家
負無窮起始Mealy機第二題共匪和美匪無窮遠(略)

--
※ 作者: chunghwa 時間: 2017-08-01 00:12:01