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※ 本文轉寄自 ptt.cc 更新時間: 2021-10-07 16:44:11
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作者 zxcvxx (zxcvxx)
標題 [新聞] 三星電子公佈2及3奈米GAA製程時間表 超車
時間 Thu Oct  7 14:36:49 2021


原文標題:
三星電子公佈2及3奈米GAA製程時間表 超車台積電?
                                      (請勿刪減原文標題)  
原文連結:
https://bit.ly/3uQlq6P
                                      (請善用縮網址工具)
發布時間:
2021年10月7日
                                      (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容:
三星電子於2021年10月7日在其第五屆年度三星代工論壇(5th Annual Samsung Foundry
Forum;SFF)上,公佈3奈米和2奈米(nm)節點製程計劃。

三星電子總裁兼代工業務負責人Choi Si-young表示:

三星新先進奈米技術將採用GAA電晶體結構,首批基於3奈米晶片計劃於2022 年上半年開
始生產,而其第二代3nm晶片預計將於2023年生產。

至於,2奈米作為三星技術路線圖中的新成員,具有多橋溝道 FET(MBCFET)處於早期開
發的階段,預計2025年量產。

今年論壇的主題是“增加一個維度”(Adding One More Dimension),預計為期多天的虛
擬線上論壇將吸引超過2,000名全球客戶和合作夥伴,三星將分享其願景及代工業務。

三星表示,其獨特的GAA技術多橋通道FET(MBCFETTM)對於持續的製程技術遷移至關重要
。與5奈米製程相比,三星首個採用MBCFET的3奈米GAA節點將面積減少35%,性能提高30%
或功耗降低50%。除了功耗、性能和面積(PPA)的改進之外,隨著其工藝成熟度的提高,
3奈米的邏輯良率正在接近與目前量產的4奈米技術相似的水準。


三星代工廠不斷改進其FinFET製程技術,以支持具有成本效益和特定應用競爭力的專業產
品。例如,該公司引用了其17奈米FinFET節點。除了FinFET提供的內在優勢之外,該製程
節點還利用3D電晶體架構。因此,與28奈米製程相比,三星17奈米FinFET的面積減少了

43%,性能提高了39%或功率效率提高了49%。

此外,三星正在推進其14奈米,以支持3.3V高壓或快閃型嵌入式MRAM(eMRAM),從而提
高寫入速度和密度,適用於微控制器單元(MCU)、物聯網和可穿戴裝置等應用。三星的8
奈米射頻(RF)平台將有助於在5G半導體市場從低於6GHz擴展到毫米波應用。


結語

三星電子宣布2及3奈米GAA製程量產時間表,似乎與台積電互別苗投,甚至企圖超車台積
電。依據台積電規劃3奈米仍採用FinFET於2022年下半年量產,而2奈米才會採用GAA架構
,預計2025年量產。雖然,三星決心GAA搶先台積電推出,但良率才是利潤關鍵。根據韓
媒報導 (2021.7.4),三星電子在華城園區廠最先進的 V1 線,仍存在良率難解問題,5奈
米產品的良率仍低於 50%。


對於半導體大廠而言,製程是技術,良率是決定半導體公司能否獲利的關鍵,初期能將良
率維持在八成左右已是非常困難的事情,而台積電的製程良率可以達到九成五以上,可見
台灣晶圓代工的技術水準。



心得/評論:                             ※必需填寫滿20字
三星在代工論壇上公布最新時間表,預計2025年開始量產2奈米晶片,強調其GAA技術,以
突破台積電市場領先地位。



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ef863756: 丸子1F 10/07 14:37
dergnj: 韓國NO12F 10/07 14:37
iamjojo: 三星跟牙膏一直壯膽 笑死3F 10/07 14:38
hopecity: 良率五成是來送頭的?4F 10/07 14:38
ship1228: 出新聞就我放心了5F 10/07 14:38
lovekyoko: 先講先贏6F 10/07 14:40
tctv2002: 燒起來7F 10/07 14:40
fywei: 我覺得他們應該直接宣布2A製程量產8F 10/07 14:41
fywei: 反正沒正在乎
fywei: 沒人在乎
HydraGG: 三星跟牙膏只能靠國家機器了11F 10/07 14:41
vincent5236: 三星是唯一對手 英特爾來亂的可以滾了12F 10/07 14:41
b325019: 先講先贏13F 10/07 14:42
fallinlove15: 40% 和 10% 都是低於 50% 說話的藝術14F 10/07 14:42
fywei: 或是去找英特爾 噴贏的再獲得獨噴的機會15F 10/07 14:43
sbob: 想超車的都先翻車了,這麼好抄想騙人16F 10/07 14:44
fywei: 獲得年度嘴噴王的稱號17F 10/07 14:44
hyscout: 韓國跟美國嘴砲王先去打一架啦18F 10/07 14:45
kline: 做的出來跟良率是兩回事19F 10/07 14:45
luche: 來台蓋晶圓廠 加點錢召募賣肝ers 說不定有機會超車20F 10/07 14:46
soulout: 彎道翻車21F 10/07 14:46
adagiox: 那一次沒有領先公布== 那一次量率拼過22F 10/07 14:47
hbj1941: 喊超車都幾次了,那一次是真的23F 10/07 14:48
tctv2002: 良率雖然輸台積  但溫度絕對贏台積24F 10/07 14:48
hbj1941: 機台買沒人多,台積asml還駐廠協助修改參數,超三小25F 10/07 14:49
gabriel: 彎道超車(x) 彎道翻車(o)26F 10/07 14:49
ajkofqq: GG5027F 10/07 14:51
ChungLi5566: 先把高通的898做出來好嗎28F 10/07 14:52
[圖]
speady: 不敢說良率嗎?30F 10/07 14:52
[圖]
speady: 想騙我的gg嗎32F 10/07 14:53
icedog122: gg完了33F 10/07 14:59
teremy: 高通表示...34F 10/07 15:00
lxf: 三星早就看不到車尾燈35F 10/07 15:04
seemoon2000: 懶得酸了36F 10/07 15:04
ljsnonocat2: 晶圓代工的重點: 良率 良率 良率37F 10/07 15:04
conilai: 跪求教主開示38F 10/07 15:05
cdzzsa: 三星嘴砲厲害而已39F 10/07 15:07
O937: 免驚,喊聲壯膽而已40F 10/07 15:07
HRyan: 應該已經超10次以上了!41F 10/07 15:08
elmer: 百花爭鳴 讓市值再上去42F 10/07 15:09
HRyan: 上次蘋果A9全球公測之後再要吹著些就沒什麼説服力了43F 10/07 15:11
CLisOM: 三星的EUV機台數比台積電少,就算能順利量產產能也有差距44F 10/07 15:11
CLisOM: ,台積電用熟練的FinFET和三星用不成熟的GAA哪邊出包機率
CLisOM: 高
mnhyuiop: 真的超車,你三星就不會破底了47F 10/07 15:13
pideo: 泡菜看不起我們的大GG48F 10/07 15:14
lizardc1: 說個笑話 三星超車台積電49F 10/07 15:15
littlejackbr: 這篇教主不會回,太廢50F 10/07 15:16
woodsaxo: 良率?51F 10/07 15:16
VincentZeda: 良率呢????52F 10/07 15:16
likekaito: 三星要噴到太空惹53F 10/07 15:18
supeedada123: 改賣飛盤?54F 10/07 15:28
jimmyid4: 恩好強55F 10/07 15:35
coolrock: 美而美超車麥當勞?56F 10/07 15:36
nextbit: 沒差,經濟部長主動讓出機密資料,超越臺積指日可待57F 10/07 15:38
appledick: 三星好棒棒58F 10/07 15:38
gn02384419: 跟牙膏廠你一搭我一唱,嘴巴超車好簡單59F 10/07 15:41
kanehhh: 遲早看破手腳的60F 10/07 15:49
apple123773: 123超車好簡單61F 10/07 15:54
lusifa2007: 嘴巴說都很快62F 10/07 16:04
edison3333: 感覺很猛 ptt怎麼一片看衰三星 這樣我很怕真的超車63F 10/07 16:15
pf775: 三星有技術?64F 10/07 16:26

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