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原文標題：AI驅動記憶體晶片超級週期來臨！三星、SK海力士DRAM與HBM業績大幅增長

原文連結：https://news.cnyes.com/news/id/6214385

發布時間：2025/11/2

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原文內容：


記憶體晶片歷經近 13 年的週期性波動，每 3 至 4 年呈現一輪週期，目前正處於第四輪
。

前三輪由智慧型手機換機潮、3D NAND 產能轉移及疫情帶動的遠端辦公需求所推動，而每
輪高峰後均因供過於求或需求下降出現價格下滑。

自 2024 年起，AI 算力基建及 HBM 技術革命成為記憶體晶片市場的新動力，企業級 AI
資本支出成為主要需求來源，推動 HBM、DDR4/DDR5 及企業級 SSD 等市場大幅增長。





據悉，雙方已通知客戶，2025 年第四季度 DRAM 及 NAND Flash 合約或現貨價格將調漲
約 30%，以應對 AI 及雲服務帶來的高需求。

DRAM 市場格局：SK 海力士首度超越三星

2025 年第一季度，SK 海力士以 36.9% 的市占率首度超越三星，終結其 33 年 DRAM 霸
主地位，使 DRAM 市場格局正式進入雙雄爭霸的全新階段。



儘管在整體儲存市場上三星略領先，但 SK 海力士在 HBM 市場仍占據主導地位，市場佔
有率高達 58%，第三季度 DRAM 銷售額中 HBM 占比達 40%。

公司計劃第四季度開始交付次世代 HBM4 產品，並已鎖定 2026 年 DRAM 及 NAND 產能需
求，預計出貨量與去年同期相比增長超 20%，HBM 供應緊張將持續至 2027 年。

技術競賽：High NA EUV 曝光機成新焦點

High NA EUV 曝光機為新一代晶片製造關鍵技術，可提供 1.7 倍精細電路圖案及 2.9 倍
電晶體密度，提升 40% 光學精度，開啟了半導體產業的下一章。

據悉，三星已購置 5 台 High NA EUV 曝光機，其中 2 台部署於半導體代工部，其餘專
供儲存部門。SK 海力士也將首款量產型 High NA EUV 引進韓國利川工廠。

在 DRAM 技術方面，SK 海力士已成功開發第六代 10nm 1c 制程 DDR5 DRAM，並在 HBM
及 DDR5 產品中應用 EUV 曝光機，提高良率與性能。

市場消息稱，SK 海力士 1c DRAM 良率已達 80%-90%，為未來 High NA EUV 使用奠定基
礎。

然而，三星第六代 1c DRAM 在 HBM4 上良率約 50%，仍在開發中。

與此同時，美光 (MU-US) 則採取不同策略，結合 EUV 與 DUV 技術逐步推進 10nm 以下
DRAM 製程，並計劃直接進入 9nm 製程。

AI 合作帶動 HBM 需求：OpenAI 星際之門計劃

此外，三星與 SK 海力士已與 OpenAI 簽署合作協議，成為「星際之門」（Stargate）全
球 AI 基礎設施項目的核心合作夥伴。





心得/評論：
台股光輝11月 行情全面啟動！

記憶體行業供需失衡加劇，引爆超級週期，現在只是剛開始

記憶體賣一片賺一片，未來只能透過長約訂晶片

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