---

美銀逆勢看多記憶體！估DRAM Q3均價飆21% AI記憶體需求未降溫？

鉅亨網編譯莊閔棻
2026-07-19 15:10


TrendForce 所預估的一致水準。

美銀團隊透過最新的產業通路訪查，歸納出五項關鍵觀察，認為第三季 DRAM 價格會比市
場預期漲更多。

首先，伺服器用 DRAM 的漲勢超預期。在高速 LPDDR5 帶動下，價格季增幅度落在 20%
至 30% 之間，高於市場原先預期的「20% 以內」水準。

其次，現貨市場需求全面回溫，不只主流的 DDR5，就連已屬老舊規格的 DDR4 現貨需求
同樣強勁，7 月價格持續走高。

第三，高階市場出現產品結構升級，客戶下單重心正從性價比較高的 HBM3E，轉向單價更
貴的 HBM4，進一步墊高整體均價。



第五，部分終端原廠因庫存吃緊而緊急追加訂單，此舉間接證實了標準型 DRAM 與 NAND
的季增幅度雙雙超過 20%。

美銀估值 vs. 市場共識 三季轉趨樂觀
比較美銀與 TrendForce 的預測可以發現分歧所在。

DRAM

TrendForce 預估，今年第三季傳統 DRAM 平均售價將較前一季上漲 13% 至 18%，若將
HBM（高頻寬記憶體）納入計算，整體 DRAM 平均售價漲幅則為 8% 至 13%。

相較之下，美銀對第三季看法更為樂觀，預估全球 DRAM 平均售價將季增 21%，高於
TrendForce 的預測；第二季則估計上漲 45% 至 50%，略低於 TrendForce，第四季則預
估仍可維持高個位數百分比的季增幅。

NAND

TrendForce 預估第三季平均售價將季增 10% 至 15%，第四季漲幅將放緩至 0% 至 5%；
第二季價格則季增 55% 至 60%，但已較先前預測略為下修。

美銀則預估，全球 NAND 平均售價第二季約季增 65%，高於 TrendForce 的估計；第三季
可望再上漲 15%，第四季則大致持平。

現貨市場：DRAM 連漲八週 價格站上歷史異常高檔
DRAM 現貨價格已連續八週上揚，與二、三個月前市場普遍看衰「35 至 40 美元將是天花
板」的悲觀氣氛完全反轉。



不過報告也提醒，現貨交易量僅占全球供應的低個位數百分比，性質上更接近品牌廠的緊
急追單，而非市場主流交易模式。

儘管如此，當前 DDR5 與 DDR4 現貨走勢，仍指向三季合約價季增約 20% 的方向。

NAND 現貨同步出現價格修復訊號，本週 1Tb 晶圆報價週增 4%，被視為三季 NAND 均價
有機會挑戰突破 10% 漲幅的正面指標。

報告另外提到，日系記憶體廠二季均價表現弱於全球平均，但隨著 7 月現貨與合約價同
步走揚，目前研判其三季財報不如預期仍為時過早。

主要現貨價格一覽（截至最新周度）

AI 需求沒有降溫：台積電、ASML 法說釋利多 間接帶旺記憶體需求
台積電 (2330-TW) 第二季財報表現亮眼，營收達 400 億美元，年增 34%，營業利益率
60%、毛利率 68%；法人說明會上，公司釋出三季營收年增 46% 的樂觀展望，全年營收增
速估達約 40% 左右，2 奈米製程量產進度順利。

資本支出方面，台積電將 2026 年全年資本開支上調至 600 億至 640 億美元，另加碼
1000 億美元投入美國廠區建設，雙雙創下歷史新高紀錄。

報告指出，台積電客戶端的 AI 晶片廠商對更先進的 HBM、SOCAMM（小外形壓縮記憶體模
組）以及企業級 SSD 需求殷切，將持續為高階記憶體需求添加動能。



就區域結構觀察，第二季系統銷售額中南韓占 43%、台灣占 30%、中國占 14%、美國占
9%，中國因出口管制導致本土晶片廠資本支出縮手，訂單動能明顯轉向台灣邏輯晶片廠商
。



產業鏈高頻數據同步報喜
南韓半導體出口動能未見鬆動，7 月前十天出口額達 112 億美元，較上月同期成長 1.3%
，增速雖略為放緓但仍處歷史高檔，且已連續六個月維持三位數的年增率，年增幅達
193%。

台灣科技廠 6 月營收表現同樣強勁，其中邏輯、晶圓代工與 ODM 廠商領漲季增排行，世
界 (5347-TW) 、聯發科 (2454-TW) 、廣達 (2382-TW) 分別季增 41%、22%、24%。

若看年增表現，則以記憶體廠商彈性最大，南亞科 (2408-TW) 暴增 621%、創見
(2451-TW) 大增 382%、群聯 (8299-TW) 成長 301% 居前，台積電則以年增 68% 表現穩
健。

中國 IC 進口同樣寫下歷史新高，6 月進口金額達 596 億美元，年增 72%，進口數量年
增僅 7%，顯示單價墊高才是金額暴增的主因；細拆 5 月數據，記憶體晶片進口金額達
308 億美元，占 IC 總進口比重高達 54%，年增 249%，同樣刷新紀錄。

中國智慧型手機市場則呈現品牌分化，5 月出貨量 2680 萬台、年增 19%，在 DRAM 缺貨
背景下仍見復甦，但能否延續尚待觀察。

就第二季整體來看，出貨量年減 4.3%，蘋果 (AAPL-US) 與華為分別年增 19% 至 24%，
其餘主流品牌則普遍年減 10% 至 22%。

市占率方面，華為由 2025 年二季的 18% 躍升至 23%，蘋果緊追在後，多數中國本土品
牌市占則明顯下滑。

價格全景：DRAM 站上數十年高點 漲勢邏輯未見鬆動
以絕對價格水準來看, 目前 16Gb DDR5 現貨約 49 美元、16Gb DDR4 約 80 美元, 遠高
於 2017 年上一輪景氣循環高峰時約 10 美元的水準。

報告分析，核心驅動力來自記憶體廠商持續將產能向高毛利的 HBM 及伺服器 DRAM 傾斜
，壓縮了標準型 DRAM 的供給空間。



報告特別點出一項特殊現象。DDR4 與 DDR5 合約價目前已基本持平、同落在 35 至 40
美元區間，原本 DDR5 應有的溢價已然消失，主因是 DDR4 供給收縮更為劇烈，出現結構
性短缺。



NAND 方面，512Gb 晶圓合約價約 26 美元，較 2025 年 2 月低點 2.5 美元已上漲約十
倍之多。

漲勢節奏上，2025 年四季至 2026 年一季為快速上漲期，單月漲幅達 40% 至 60%；


展望後市，美銀基準預測三季 DRAM 合約價季增 21%，第四季持續維持高個位數增長，現
貨供應吃緊態勢下，夏季價格不排除持續走高。

NAND 則預估三季均價季增約 15%，四季大致持平，期間或有小幅回檔壓力，但報告強調
不至於出現硬著陸，絕對價格水位仍遠高於歷史正常區間。

類股表現：記憶體今年來領漲科技股 近期估值出現修正
美銀分析指出，從 2026 會計年度預估估值來看，記憶體廠商目前本益比普遍仍處於相對
偏低水準，但獲利能力相當突出。

其中，DRAM 廠商三星電子、美光科技 (MU-US) 與南亞科預估本益比分別約為 6.3 倍、
12.4 倍及 7 倍。

NAND 廠商方面，鎧俠預估本益比約 6.7 倍，群聯更僅約 5.5 倍，同時預估股息殖利率
高達 9.6%。

相較之下，半導體設備廠估值明顯較高，艾司摩爾、應用材料 (AMAT-US) 及科林研發
(LRCX-US) 預估本益比分別約 37 倍、48 倍及 59 倍。

股價表現方面，今年以來記憶體族群領漲半導體產業，其中 NAND 概念股整體漲幅優於
DRAM，南亞科、三星、群聯等個股皆有亮眼表現，而 SanDisk (SNDKV-US) 與鎧俠今年以
來股價更已飆漲逾 500%。

不過，美銀指出，7 月上旬記憶體族群出現一波明顯回檔，主因市場開始擔憂企業財報表
現恐不如預期，但若從全年來看，多數個股仍維持可觀漲幅。

美股科技股方面，美銀表示，今年以來 CPU 晶片廠商如英特爾 (INTC-US) 與超微半導
體 (AMD-US) 股價表現，反而優於輝達 (NVDA-US) 、蘋果及高通 (QCOM-US) 等大型科技
股；至於半導體設備族群，今年漲勢則介於記憶體與大型科技股之間。

https://news.cnyes.com/news/id/6539441

心得/評論：
美銀認為記憶體在Q3會有超出預期的漲幅
從 2026 會計年度預估估值來看
記憶體廠商目前本益比普遍仍處於相對偏低水準

--
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.174.117.121 (臺灣)
※ 作者: Lime5566 2026-07-19 23:49:33
※ 文章代碼(AID): #1gNF8Gi6 (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1784476176.A.B06.html