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作者 madeinheaven ()
標題 [新聞] 三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計
時間 Sat Mar 13 18:38:26 2021



原文標題：
三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計2022年用在3nm工藝上
                                      (請勿刪減原文標題)  
原文連結：
https://www.expreview.com/78337.html
三星已用GAAFET技术打造出SRAM芯片，预计2022年用在3nm工艺上 - 超能网 超能网（Expreview）专注于为主流科技产品提供全新视角的资讯，专注于100%高价值原创内容的创造，专注于最真实的体验式报道。 ...

 
                                      (請善用縮網址工具)
發布時間：
2021-3-13 09:54
                                      (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)


原文內容：

三星在去年年初就宣佈他們攻克了3nm工藝的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，預
計會在2022年正式推出這種工藝，目前關於此工藝的消息甚少，tomshardware報導說三星
在IEEE國際集成電路會議上，三星公佈了3GAE工藝的一些細節。


https://i.imgur.com/s19YA4c.jpg
[圖]

GAAFET其實有兩種，一種是使用納米線作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET，另外一種則是
以納米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效應電子晶體管MBCFET。兩種都在柵極材料所
在側面上圍繞溝道區，納米線與納米片的實現方式很大程度上取決於設計，一般而言都用
GAAFET來描述兩者。


https://i.imgur.com/exfnXbE.jpg
[圖]

GAAFET其實早在1988年就出現了，這種晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通
道的寬度來精確地對其進行調諧，以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率
下實現更高的性能，而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上實現類似的設
計時，工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下，晶體管通道的“寬度”
只能增加一倍或兩倍，精度不是很好，有時效率很低。


https://i.imgur.com/oPKVA8F.jpg
[圖]

三星表示，與7LPP工藝相比，3GAE工藝可在同樣功耗下讓性能提高30%，同樣頻率下能讓
功耗降低50%，晶體管密度最高可提高80%。

https://i.imgur.com/SzDihmg.jpg
[圖]

三星展示了首個使用MBCFET技術的SRAM芯片，這個256Gb芯片的面積是56mm2，與現有芯片
相比這個用MBCFET技術的寫入電壓降低了230mV，可見MBCFET確實能讓降低功耗。

https://i.imgur.com/oB7WDEK.jpg
[圖]

SRAM其實是比較簡單的芯片，目前還沒有見到三星能用這種技術生產複製芯片的能力，但
相信給些時間三星就能解決這問題，預計3nm MBCFET製程會在2022年投產。




心得/評論：                             ※必需填寫滿20字

三星已經做出使用MBCFET技術的SRAM

預計3nm MBCFET製程會在2022年投產

台積電在3nm則是繼續使用FinFET也是在2022年投產

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.24.109.151 (臺灣)
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※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1615631908.A.D8E.html
→ rayccccc: 加油ㄛ1F 03/13 18:40
噓 godog: 心得懶的寫 直接抄內文2F 03/13 18:42
我改一下
※ 編輯: madeinheaven (114.24.109.151 臺灣), 03/13/2021 18:45:08
噓 tnleetony: 心得呵呵3F 03/13 18:44
噓 Rin5566: 丸子4F 03/13 18:44
→ deepbluer: GG 885F 03/13 18:46
※ 編輯: madeinheaven (114.24.109.151 臺灣), 03/13/2021 18:46:48
推 Cliffx: 台積電完了 三星超車6F 03/13 18:46
噓 Merkle: DRAM做出來再叫我7F 03/13 18:48
→ gomi: 去年年初就宣佈了 今年5nm還是做不好8F 03/13 18:50
推 cckkyle: 我大gg FinFET 就可以做3nm了9F 03/13 18:52
→ idernest: 台積殺手10F 03/13 18:53
→ transfight: QQ GAA難度超大……良率真的不好看11F 03/13 18:55
→ SteamTank: 跟GG宣稱的7nm->3nm幅度差不多，用FinFET就夠打12F 03/13 18:55
→ transfight: QQ FinFET優點是良率高成本又低
QQFinFET現有製程道數會比較少…Run貨快
QQ 但是GAA是未來的趨勢……13F 03/13 18:55
噓 tsukirit: 搞個超耗電888 5奈米都做不好16F 03/13 18:59
推 vbhero: 台積7奈米都屌打三星3奈米17F 03/13 19:04
推 nhpss89007: yield?18F 03/13 19:04
推 kissa0924307: 888表示：先讓我降溫吧19F 03/13 19:05
推 Jungggg: 完了 真的被gn老蘇說中了20F 03/13 19:06
噓 tcman02: 等於gg幾奈米？21F 03/13 19:12
推 abs7862604: 遇到一般的怪就開了無雙22F 03/13 19:17
→ jior: 產啦，那次不產的23F 03/13 19:20
推 clusis: 台積電有疑慮了24F 03/13 19:23
推 yuen1029: 韓國三星喜歡用半成品搶先發表 然後再讓別人重新定義25F 03/13 19:36
推 abcgo: 記憶體跟邏輯晶片的差距到底有多大呢？27F 03/13 19:40
噓 m9103232: 完了，還不趕快把GG賣掉28F 03/13 19:46
→ cchh179: 好像有搞頭29F 03/13 19:53
推 sm3489: GG丸子，怕爆30F 03/13 19:55
推 cookie1216: 三星那次不是彎道超車XD31F 03/13 20:03
推 nangle: 原良率問題待改善的情況下微縮製程,等於預告爆炸...可能又要賣很便宜來搶市場了，尤其是這個成本更高只能說三星為了超前不賭命，賭徒心態，爆炸預定
如果你開無人無車6線道會撞路燈，敢開單行道？
三星這種行為根本三寶32F 03/13 20:03
→ Jerry469: 只提SRAM 看來yield 沒救
gg續噴
[url=https://imgur.com/G7ekPOy]https://i.imgur.com/G7ekPOy.jpg[/url]w底確立 月底900見37F 03/13 20:12
[圖]
推 saygogo: *** 也算強了  到現在還可以持續一代的落後差距
不过应該會死在3nm GAA 變成兩代差距
2022 GG 3nm 量產 2023放量 ***可能還在哭良率41F 03/13 20:21
推 kuan50118: 良率是重點 你良率不高誰要用...44F 03/13 20:33
推 rx78123456: 三星現在只剩dram45F 03/13 20:37
→ Atomry777: 彎道翻車46F 03/13 20:40
推 Homedoni: DRAM還在用planar呢 cell瓶頸才是重點47F 03/13 20:44
噓 pf775: 還不是被台積電屌打48F 03/13 20:47
推 ajkofqq: 怕豹 快賣下去400 :)49F 03/13 20:48
→ Homedoni: 有***產業才健康啦 台積才不會太寂寞50F 03/13 20:49
噓 amaranth5566: GG從來不放話51F 03/13 20:49
推 s800525: 強推新技術微縮，看來漏電+良率爆炸可預期了52F 03/13 21:19
→ kuma660224: 三星是落後者 所以需賭不成熟技術
否則沒機會跟GG競爭
GG用DUV做出7nm 三星賭EUV53F 03/13 21:20
推 vbhero: 台積落後的時候有賭嗎？56F 03/13 21:21
→ kuma660224: GG也有GAA 但技術領先夠多 不用冒險
Finfet就能搞定那密度 還更便宜57F 03/13 21:22
推 s800525: GG 20nm好像也是爆炸過，強推的下場都很慘的59F 03/13 21:24
推 Homedoni: FinFET爐火純青 VS 良率爆炸GAA60F 03/13 21:25
推 s800525: GAA完全新的東西，良率不知道(應該很慘烈)、成本高，把這種東西拿來賭真的很敢，跟二戰日軍那種一億玉碎差不多XD61F 03/13 21:27
推 stosto: Gaa 現在只是還不需要拿來量產而已，等到gaa量產
後...三星不知道又要做什麼彎道超車了64F 03/13 21:28
推 Marginal: 難怪GG最近爬不太起來  原來是這樣66F 03/13 21:29
推 s800525: GG最近軟跟這一點關係都沒有=_>=
跟美科技股回檔，資金輪轉關係還比較大，剛還看一下是不是在股版....67F 03/13 21:33
推 toy986: 一堆台積利空新聞 穩了70F 03/13 21:44
推 speculator: 三*真的強又有決心,資源 可怕71F 03/13 21:59
推 mirce: 嗯哼 三星終於做出能匹敵台積電5奈米 2022投產72F 03/13 22:05
推 notime: 丸惹73F 03/13 22:08
→ david9066011: GG 7奈米屌打三星5奈米 這次3奈米要屌打幾奈米呢74F 03/13 22:21
推 kamichu: 想也知道產量出不來 技術宣示 炒股比較好賺75F 03/13 22:23
推 semicoma: 聽說三星用了這新技術 那麼設計端也要改技術 因此除非明顯比GG繼續用Fin有優勢 不然各設計廠未必有意願76F 03/13 23:15
推 gabkwd: 語畢，哄堂大笑。78F 03/13 23:25
推 michelin4x4: 這個除非他驗證性風險量產sram，良率超過8成。這才是有機會讓ic設計業去設計79F 03/13 23:25
推 rickylin: 看來五奈米做不好直接放棄了81F 03/13 23:28
推 Sopi0318: GG N3也繼續用fin 3奈米以下才會用gaa82F 03/13 23:28
→ kuma660224: 三星也是被逼得選沒辦法的辦法
2020-2021的GG5nm密度良率贏太多
三星繼續拼FINFET也快看不到車尾燈
多數廠商能選GG本來就很難不選
所以想靠良率沒把握新技術拼一下密度83F 03/13 23:32
推 yesheyman: GG也有改良版2nm是用FinFET做 GG向來都是穩扎穩打沒人敢用第一代的GAA的 三星自己也不敢的88F 03/13 23:37
推 karta018: 一下中芯超車，一下三星超車，GG怎還沒跌回20090F 03/13 23:44
推 s800525: GG沿用FINFET到3nm一部分是讓設計節省成本，三星
2022就要硬上GAA要看有多少廠商願意吃下來，目前好像就省錢一哥高通有在用三星最新的而已？
可是實驗性那麼高的GAA高通敢賭？應該很多不敢把重要的壓這上面，何況性能目前看起來跟GG5nm差不多而已，兩年後GG5nm產量不知道多多少了91F 03/13 23:45
推 ca1123: 把台積電殺到400呀，哈哈97F 03/14 00:08
→ southpeace: 那次不贏98F 03/14 00:35

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