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標題 [新聞] 世界最小電晶體！三星首次實現邏輯半導
時間 Wed Jun 17 12:17:27 2026
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時間 Wed Jun 17 12:17:27 2026
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世界最小電晶體！三星首次實現邏輯半導體垂直堆疊
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https://m.sohu.com/a/1037669590_115831
世界最小晶体管！三星首次实现逻辑半导体垂直堆叠_搜狐网
三星电子半导体研发中心权旭贤表示，回顾多位资深研究人员的开发历程，他们通过垂直堆叠结构突破了面积限制，NAND闪存中的V-NAND和DRAM中的HBM是典型代表，这一发展趋势已自然延续到逻辑半导体。三星电子… ...
三星电子半导体研发中心权旭贤表示，回顾多位资深研究人员的开发历程，他们通过垂直堆叠结构突破了面积限制，NAND闪存中的V-NAND和DRAM中的HBM是典型代表，这一发展趋势已自然延续到逻辑半导体。三星电子… ...
發布時間： 請勿張貼超過3天新聞
2026-06-17 09:34
記者署名：
CNMO科技
原文內容：
6月17日，三星電子宣布，其半導體研發中心的研究人員在全球首次實現了閘極間距為42
奈米的3D堆疊電晶體結構。這項研究成果近期被選為在日本京都舉行的2026年VLSI研討會
最佳論文。
奈米的3D堆疊電晶體結構。這項研究成果近期被選為在日本京都舉行的2026年VLSI研討會
最佳論文。
這項研究的意義在於將先前應用於儲存半導體的垂直堆疊概念擴展至邏輯半導體。在NAND
快閃記憶體領域，三星電子透過V-NAND技術突破了儲存容量限制；在DRAM領域，透過堆疊
多顆晶片的HBM技術，在人工智慧時代引領核心記憶體市場。
快閃記憶體領域，三星電子透過V-NAND技術突破了儲存容量限制；在DRAM領域，透過堆疊
多顆晶片的HBM技術，在人工智慧時代引領核心記憶體市場。
三星電子半導體研發中心權旭賢表示，回顧多位資深研究人員的開發歷程，他們透過垂直
堆疊結構突破了面積限制，NAND快閃記憶體中的V-NAND和DRAM中的HBM是典型代表，這一
發展趨勢已自然延續到邏輯半導體。
堆疊結構突破了面積限制，NAND快閃記憶體中的V-NAND和DRAM中的HBM是典型代表，這一
發展趨勢已自然延續到邏輯半導體。
現有邏輯半導體透過在平面並排放置電晶體來提高集成度。然而，隨著裝置間距縮小，防
止電幹擾變得困難，小型化面臨極限。業界正關注透過上下堆疊半導體來提升性能的新一
代結構。三星電子半導體研發中心TL鄭永彩解釋，當電晶體間距縮小，絕緣體變薄，低於
一定水平絕緣效果會消失。如果裝置垂直升起，水平限制將消失，這就像密集的單戶住宅
區演變成多層綜合建築一樣。
止電幹擾變得困難，小型化面臨極限。業界正關注透過上下堆疊半導體來提升性能的新一
代結構。三星電子半導體研發中心TL鄭永彩解釋，當電晶體間距縮小，絕緣體變薄，低於
一定水平絕緣效果會消失。如果裝置垂直升起，水平限制將消失，這就像密集的單戶住宅
區演變成多層綜合建築一樣。
透過此技術，研究團隊實現了42奈米的閘極間距，低於業界現有的48奈米最小值。此外，
團隊還應用了直接連接上下晶體管的新結構，進一步提高了整合度。權旭賢表示，42奈米
是業界迄今實現的最小電晶體尺寸，他們也是全球首次實現直接連接上下電晶體的結構。
團隊還應用了直接連接上下晶體管的新結構，進一步提高了整合度。權旭賢表示，42奈米
是業界迄今實現的最小電晶體尺寸，他們也是全球首次實現直接連接上下電晶體的結構。
研究人員預計，該技術將有助於增強人工智慧和高效能運算領域的半導體競爭力。三星電
子半導體研發中心首席研究員黃東勳表示，透過應用垂直堆疊結構，可以在相同面積內放
入更多晶體管，這適合實現AI時代客戶對更小面積、更低功耗和更高性能的需求。
子半導體研發中心首席研究員黃東勳表示，透過應用垂直堆疊結構，可以在相同面積內放
入更多晶體管，這適合實現AI時代客戶對更小面積、更低功耗和更高性能的需求。
基於這項研究，三星電子計畫持續進行實際產品應用的相關後續研究。權旭賢將這項研究
比喻為製作磚塊的階段，未來將像用磚塊建造房屋一樣，持續推進商業化研究。
心得/評論：
https://bit.ly/4vfCgKz
From GAA to 3D Stacked FET: Expanding the Transistor into the Third Dimension | Samsung Semiconductor Global Samsung Electronics' Semiconductor Research Center presented the paper “First Demonstration of 3D Stacked FETs at Gate Pitch of 42 nm Featuring Triple ...
https://i.urusai.cc/4RFbX.jpg
![[圖]](https://i.urusai.cc/4RFbX.jpg)
三星首次實現42nm閘極間距的3D堆疊電晶體，將垂直整合從記憶體延伸至邏輯半導體，
有望突破平面縮放極限，為AI時代高效能晶片開闢新路徑。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 118.166.200.56 (臺灣)
※ 作者: madeinheaven 2026-06-17 12:17:27
※ 文章代碼(AID): #1gCX_Rix (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1781669851.A.B3B.html
※ 編輯: madeinheaven (118.166.200.56 臺灣), 06/17/2026 12:21:56
![[圖]]()
![[圖]]()
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→ : 三星製成疊起來 溫度會有多高1F 06/17 12:18
推 : 搖搖領先2F 06/17 12:18
推 : 彎道翻車3F 06/17 12:19
推 : 電幹擾 顆顆4F 06/17 12:19
推 : 滅台5F 06/17 12:19
推 : 韓國不玩超導體了嗎6F 06/17 12:19
推 : 樓下先用7F 06/17 12:19
推 : 丸8F 06/17 12:19
推 : 台積電，崩！9F 06/17 12:20
推 : 彎道超車10F 06/17 12:20
噓 : 電暖爐概念股11F 06/17 12:20
推 : 所以華為那個 tao的是沒有 試作品 只是搶規格制訂w12F 06/17 12:21
推 : 曲速超車13F 06/17 12:21
推 : 韓國也會掏定律14F 06/17 12:21
推 : GG崩定了 樓下幫我空15F 06/17 12:23
推 : 腥定律16F 06/17 12:23
→ : GG is OVER17F 06/17 12:23
推 : 三星準備彎道超車 GGgg18F 06/17 12:23
推 : 蛤？ 這不就是NPMOS一起做？19F 06/17 12:23
→ : HBM賺翻 開始大力投入邏輯電路了嗎20F 06/17 12:24
→ : INTEL 前兩年就有發過paper啦21F 06/17 12:24
推 : 張忠謀說gg will gg22F 06/17 12:25
推 : 好像很酷，但實際上不知道怎麼樣23F 06/17 12:25
推 : 是喔，好棒喔，有賺大錢嗎？24F 06/17 12:25
→ : 所以我說散熱怎麼處理25F 06/17 12:26
推 : 噴26F 06/17 12:26
推 : 還記得上次那個臭豆腐事件，一堆瞎雞巴跟風吹27F 06/17 12:27
推 : 記憶體已經賺成這樣 有必要在晶圓代工也要賺嗎28F 06/17 12:27
推 : 彎道填海29F 06/17 12:27
推 : 類似AMD X3D產品？30F 06/17 12:27
推 : 懂了,台積電就是在跌這個對吧.31F 06/17 12:27
→ : 垂直堆疊不是已經有了，其缺點就是難以量產32F 06/17 12:28
推 : 那散熱很恐怖捏33F 06/17 12:28
推 : 良率應該很慘34F 06/17 12:29
推 : GG危險35F 06/17 12:29
推 : 自從記憶體大賺後，戲很多36F 06/17 12:30
推 : 華為：37F 06/17 12:30
推 : 阿要怎麼量產38F 06/17 12:31
→ : 持有台積電的見好就收39F 06/17 12:31
推 : 韓國企業喜歡把簡單的東西做複雜40F 06/17 12:32
→ : 阿良率咧 提一下啊41F 06/17 12:32
→ : 跟中國掏定律差別在哪42F 06/17 12:32
推 : 日本 中國鋁電容又噴了，台股標的關注一下43F 06/17 12:32
→ : 你也懂濤？44F 06/17 12:32
推 : 只能用堆的45F 06/17 12:33
推 : 就HBM阿 韜定律是邏輯晶片疊邏輯晶片46F 06/17 12:33
推 : 彎道超車47F 06/17 12:35
推 : 最近賺太多又有錢可以研究了48F 06/17 12:35
推 : 美中韓 每個都想彎道超車 贏麻了49F 06/17 12:36
推 : HBM就堆出來的 結果賺到現在供不應求50F 06/17 12:36
※ 編輯: madeinheaven (118.166.200.56 臺灣), 06/17/2026 12:37:30→ : 這麼厲害 想必….51F 06/17 12:37
推 : 掏 定律？52F 06/17 12:37
推 : 研究室出來的不一定能量產53F 06/17 12:38
→ : 又又又要彎道超車了 GG GG54F 06/17 12:39
推 : 這GG跟牙膏廠不早就發表出來了 CFET啊55F 06/17 12:39
→ : HBM靠的是總頻寬撐高 跟SoC或CPU要撐高頻完全不同56F 06/17 12:40
推 : 完了完了完了57F 06/17 12:40
→ : 你把HBM頻率超到G等級 一定發爐給你看啦58F 06/17 12:40
推 : 良率不到40%有屁用59F 06/17 12:40
→ : gg is over. 三星記憶體賺太多錢準備採購設備跟上60F 06/17 12:41
推 : 不就CFET, Intel 幾年前就發表過了61F 06/17 12:41
→ : HBM在疊跟真的把邏輯晶片這樣疊 散熱需求完全不同62F 06/17 12:42
推 : 吹起來63F 06/17 12:43
推 : 所以我說那個良率呢64F 06/17 12:43
推 : 鬼故事滿天飛65F 06/17 12:44
→ : 沒有良率的晶片 沒有量產的價值66F 06/17 12:44
→ : 我就問 良率 就好67F 06/17 12:45
推 : GG要GG了68F 06/17 12:46
![[圖]](https://i.imgur.com/HNe2n1Ph.jpeg)
推 : 台積gg70F 06/17 12:47
推 : 良問題率71F 06/17 12:47
推 : 不疊都夠燙了。 現在是72F 06/17 12:48
推 : 祝她 燒毀73F 06/17 12:49
推 : 跟3d ic差在哪，堆疊多層的話中間的會有散熱問題嗎？74F 06/17 12:51
推 : 實驗室的產品就算了吧 ibm更強76F 06/17 12:51
推 : 記憶體垂直堆疊不是很早就有了嗎?77F 06/17 12:51
→ : 記得intel跟GG早幾年就發表了 三星現在才從實驗室做出來 慢多久自己算 哈78F 06/17 12:52
→ : 彎道超車80F 06/17 12:53
推 : 實驗室樣品和量產產品完全是兩件事81F 06/17 12:53
推 : 饕定律82F 06/17 12:53
推 : 良率？83F 06/17 12:54
推 : 散熱股利多84F 06/17 12:54
→ : 玩堆疊散熱真的會變成問題，不研發新材料，資料中心遲早上太空85F 06/17 12:57
推 : 看起來中國和南韓都要玩堆疊，台積電有機會也能堆疊量產嗎？87F 06/17 12:59
推 : 你也逃？89F 06/17 13:00
推 : 散熱呢？90F 06/17 13:02
→ : 上太空更難散熱 幹嘛上太空91F 06/17 13:04
推 : 700磅大猩猩手撕台雞雞92F 06/17 13:05
推 : 噴火龍293F 06/17 13:08
推 : 這技術早就提過，又不是什麼新的94F 06/17 13:10
推 : 做電暖爐不用這麼高的技術喔 嘻嘻95F 06/17 13:12
推 : 越堆越高96F 06/17 13:14
推 : 疊起來後發熱怎麼辦...97F 06/17 13:17
※ 編輯: madeinheaven (118.166.200.56 臺灣), 06/17/2026 13:19:00推 : 散熱 噴98F 06/17 13:20
推 : 上太空散熱也沒有比較容易搞99F 06/17 13:21
推 : 聽起來很暖的感覺100F 06/17 13:21
推 : 我已經搞不清楚Gate P N在哪了101F 06/17 13:30
→ : 反正台灣代理就賺翻102F 06/17 13:31
推 : 是彎道103F 06/17 13:33
推 : 這就CFET啊104F 06/17 13:33
推 : 韓國人也發現掏定律了嗎？105F 06/17 13:34
→ : 太空要耐熱吧 ...106F 06/17 13:34
推 : 除了散熱以外, 這要做更多層, 難度更高107F 06/17 13:37
→ : 當爽爽爽開始發新聞稿時 就知道該怎麼做了吧108F 06/17 13:39
推 : 恐成最大贏家109F 06/17 13:43
推 : 車神，看到什麼都想彎道超車一下110F 06/17 13:44
→ : CFET 主要還是看 量產良率多少 實驗室大家都會做111F 06/17 13:44
推 : 三星全體加上海力士營收有超過台積電嗎112F 06/17 13:44
→ : 疊越多 良率就 等比級上升113F 06/17 13:45
推 : 跟華為韜有87%像嗎114F 06/17 13:45
推 : 講那麼多，原來就CEFT？115F 06/17 13:47
推 : 這是打火機嗎116F 06/17 13:54
→ : 灣道塞車117F 06/17 13:59
推 : 台積玩3D封裝幾年了 散熱阿118F 06/17 13:59
推 : 單層就熱到不行還堆疊XD119F 06/17 14:03
推 : GG is over120F 06/17 14:07
→ : 良率上的來再說121F 06/17 14:09
推 : 我看不懂但好像很厲害122F 06/17 14:10
推 : 這不就是支吹最愛的，只是***這個是記憶體
發展來的東西吧，散熱怎麼辦？123F 06/17 14:16
發展來的東西吧，散熱怎麼辦？123F 06/17 14:16
推 : 燒喔，燙喔125F 06/17 14:29
→ : GG看不到車尾燈惹126F 06/17 14:29
推 : 大家都在瞄準堆疊 GG是2.5D良率產能先開出來127F 06/17 14:31
推 : 台積也在作類似的電晶體垂直堆疊吧？不然單位面積的邏輯閘數量無法提升，一旦被英特爾或三星追上，訂單就會雪崩。128F 06/17 14:38
推 : 韓國小gg131F 06/17 14:42
※ 編輯: madeinheaven (118.166.200.56 臺灣), 06/17/2026 14:44:02噓 : G酸，出動!
招來不幸的G酸 三秒後抵達戰場132F 06/17 14:47
招來不幸的G酸 三秒後抵達戰場132F 06/17 14:47
推 : 良率？什麼時候可以大規模量產？沒有就是在畫餅134F 06/17 14:50
→ : 套定律？？135F 06/17 14:53
噓 : 電幹擾 幹你老母136F 06/17 14:56
推 : 這東西早就有了 台積為啥不用 呵呵137F 06/17 14:56
推 : 良率 走線 散熱138F 06/17 14:57
→ : 韓狗就是騙139F 06/17 14:57
推 : 量產沒140F 06/17 15:04
推 : 完了完了，只好加買GG壓壓驚141F 06/17 15:12
推 : 中國只是訂了規格，但沒做出來？142F 06/17 15:18
推 : 疊起來 難道是掏定律143F 06/17 15:21
推 : 垂直疊那散熱和對準的精度 ：144F 06/17 15:22
推 : 難怪積積崩145F 06/17 15:23
推 : 所以我說那個晶片呢？良率呢？146F 06/17 15:24
→ : 台積因為散熱問題都把sram搬到下面了你還在邏輯疊上去…天才三星147F 06/17 15:25
推 : 魏董:做夢149F 06/17 15:28
推 : 你再怎麼會堆 單位面積內的散熱解不掉沒人敢用啦…150F 06/17 15:29
→ : 三星會被看不起不是沒有原因的151F 06/17 15:35
→ : 你繼續堆 台積放心了152F 06/17 15:36
→ : 散熱有辦法處理再來吹啦153F 06/17 15:44
推 : GGGG154F 06/17 15:45
推 : 南韓真的被中國化得很嚴重155F 06/17 15:48
推 : 熱起來變火燒厝156F 06/17 15:51
推 : 就算是42nm 我也覺得這超難做出來的157F 06/17 15:53
→ : 沒用158F 06/17 16:05
推 : 可以量產再說159F 06/17 16:10
推 : 就問 良率多少160F 06/17 16:11
推 : 良率幫我看一下，不要跟我說只有10%161F 06/17 16:25
推 : 新世代噴火龍？162F 06/17 16:31
推 : 三星會被自己的企業文化拖入深淵163F 06/17 16:53
推 : 毆硬散熱嗎164F 06/17 16:57
推 : 喔 好強喔 繼續加油165F 06/17 17:22
推 : 結果就是熱到脫焊變智障166F 06/17 17:30
![[圖]](https://i.mopix.cc/005AOT.jpg)
推 : 你繼續堆 CC魏就放心了169F 06/17 17:49
推 : 先想想 一堆實驗室的產品 需要到量產跟良率吧170F 06/17 17:49
推 : GG笑而不語XD171F 06/17 17:51
推 : 這麼喜歡燒翻麥172F 06/17 18:29
推 : 沒辦法實現量產都是空話173F 06/17 18:29
→ : 急了174F 06/17 18:40
推 : 板上中吹要出來幫哈韓一下嗎175F 06/17 18:53
推 : 學華為的嗎?176F 06/17 19:38
噓 : 韓國貨不意外177F 06/17 20:03
推 : 上次常溫超導體是韓國發表的～～用這個解決發熱問題，明年韓股十萬點178F 06/17 20:53
推 : 三星又偉大了 我為什麼說又了180F 06/17 21:06
推 : 是逃定律嗎？181F 06/17 21:36
推 : @讚讚讚！182F 06/18 06:50
推 : 又想製造手機炸彈了183F 06/18 07:57
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