看板 Gossiping作者 danny0830 (丹尼)標題 [新聞] 三星全球首次生產3D垂直結構NAND記憶體時間 Tue Aug 6 14:05:30 2013
韓聯社 - 三星全球首次批量生產三維垂直結構NAND記憶體
韓聯社首爾8月6日電 三星電子6日稱,公司在世界上首次批量生產“三維垂直結構NAND記
憶體”(3D V-NAND)。該產品採用三星電子獨創技術--“三維筒形CTF(3D Charge Trap
Flash)單元結構”和“三維垂直疊層工藝技術“,較原有20奈米產品的集成度多出一倍。
產品容量達到128Gb,
為業界最高。
既有的NAND記憶體產品由40多年前開發的斷層單元結構組成,但最近引進10奈米級工藝後
,單元間隔大幅縮小,導致干預現象嚴重。三星電子通過結構革新和工藝革新解決了該問
題。得利於此,寫入速度快了一倍以上,寫入次數增加到2-10倍,耗電量也減少一半。
業內認為,三星電子此次批量生產“三維垂直結構NAND閃存”(3D V-NAND),將超越半導
體技術界限,有望出現1Tb以上大容量NAND閃存。三星電子經過長達十年的鑽研後成功開
發出該產品和批量生產,並已向韓國、美國和日本等各國提出了300多起專利申請。
NAND記憶體是一種存儲晶片,在斷電時也不會造成資料遺失,廣泛用於存儲音樂、照片和
影片的智慧手機。
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◆ From: 140.122.186.97
推 stero: 樓上 有問題嗎4F 08/06 14:07
推 SS327:三星蔥!!!!!!6F 08/06 14:07
推 Leeng:10奈米級(產業界)巨人7F 08/06 14:07
→ ams9:跟美國提專利申請有用? 美國輸 總統帶頭不認帳 敗類國家8F 08/06 14:07
推 twsucks:甚麼時候幹掉台灣讓台灣去當台勞? 不然舔台的真的變本加厲10F 08/06 14:07
推 s68432:`旺宏表示:14F 08/06 14:09
推 poeoe:三星在這個領域根本超強..15F 08/06 14:09
推 neilisme:台灣研發能力真差 沒什麼人才16F 08/06 14:09
推 k879311:斷電也不會遺失資料,那以後拔插頭斷電這招就不管用了17F 08/06 14:09
推 koster:三星故意公開 耍小聰明歐巴馬不擋下就白目了18F 08/06 14:09
→ lostkimo:128Gb...這指的是單顆的容量吧~~這樣很大了19F 08/06 14:10
→ a5091300:16 Giga Bytes = 128 Giga bits,就醬阿- -21F 08/06 14:11
噓 yodxxxd:Gb GB傻傻分不清楚23F 08/06 14:12
推 dacapo:NAND FLASH...=快閃記憶體=隨身碟/記憶卡...等24F 08/06 14:12
※ 編輯: danny0830 來自: 140.122.186.97 (08/06 14:12)
推 watashiD:我有點懷疑到底是那一國有外星技術了27F 08/06 14:13
推 whenisawu:Gbits GBytes 那麼難懂嗎? 什麼鬼勒29F 08/06 14:17
推 EmptySmile:厲害,終於我能把音樂全部裝進手機了嗎!!!?30F 08/06 14:18
推 panfin:快把台灣慣老闆們打死吧32F 08/06 14:26
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