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作者 madeinheaven ()
標題 [新聞] 韓國│三星在美設實驗室 研發新3D DRAM
時間 Mon Jan 29 14:24:03 2024


原文標題：

韓國│三星在美設實驗室 研發新3D DRAM

原文連結：

https://www.ctee.com.tw/news/20240129700016-430705

發布時間：

2024.01.29  03:00

記者署名：

※原文無記載者得留空

原文內容：

業界人士指出，三星在美國設立實驗室，致力開發新一代3D DRAM。該實驗室隸屬總部位
於美國矽谷、負責三星在美國半導體生產的Device Solutions America，將負責開發升級
的DRAM模型，讓三星在全球3D記憶體晶片市場能居於領先地位。


心得/評論：

在這AI的時代 記憶體尤為重要

三星能做HBM 接下來就是3D DRAM了

3D DRAM能大幅提升容量 非常符合AI的需求

三星電子股價今天+1.36%


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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.44.237.135 (臺灣)
※ 作者: madeinheaven 2024-01-29 14:24:03
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推 kenet123: 愛普:1F 01/29 14:26
推 kducky: 三星被掏空了QQ2F 01/29 14:27
※ 編輯: madeinheaven (114.44.237.135 臺灣), 01/29/2024 14:28:00
推 aegis43210: 問題是要用什麼方案，EUV太貴，佳能的方案可以嘗試但前途未卜
科林的乾式光阻也可以嘗試，但最好找SK海力士一起進來玩，不然無法規模化3F 01/29 14:29
推 chinaeatshit: 反觀7F 01/29 14:32
推 ethan0419: 美又贏8F 01/29 14:34
→ mynumber55: 美星9F 01/29 14:39
推 joe0934: 世界的三星10F 01/29 14:46
推 lonzoball02: 今天擎亞在漲這個嗎11F 01/29 14:48
推 Aerci: 挖  韓國要菲律賓化了12F 01/29 15:32
推 KrisNYC: 三樓真的有料 每次來看半導體都等著看三樓推文13F 01/29 15:42
推 tpegioe: Micron:?14F 01/29 15:47
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→ LDPC: 海力士上頭SK集團少主最近醜聞也真是狂 韓國真的狂QQ搞錯了 最近醜聞是LG少主16F 01/29 15:58
推 negohsu: intel表示，我的PMem已經是3D DRAM
容量還高達512GB唷，啾咪。18F 01/29 16:38
推 losage: 這樣算美國技術還是韓國技術？？20F 01/29 16:54
噓 pf775: 韓國人有技術？21F 01/29 17:17
※ 編輯: madeinheaven (114.44.237.135 臺灣), 01/29/2024 17:36:57
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