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作者 madeinheaven ()
標題 [新聞] 三星的逆襲！大摩：HBM4技術領先提前爆發
時間 Tue Nov 25 14:36:43 2025

原文標題：

三星的逆襲！大摩：HBM4技術領先提前爆發 明年獲利將衝150％

原文連結：

https://www.ctee.com.tw/news/20251124701136-430704

發布時間：

2025.11.24  14:45

記者署名：

方明

原文內容：

摩根士丹利（大摩）發布最新報告指出，三星電子在高頻寬記憶體（HBM）領域的技術追
趕已全面完成，不僅HBM3e已向所有AI計算客戶出貨，下一代HBM4亦進入多重資質認證流
程，首批結果預計將於12月初出爐，將成為三星股價的重要催化劑。


大摩表示，三星憑藉1c DDR5前端技術、4nm邏輯基礎晶粒與低功耗優勢，在HBM4產品表現
與高速>11Gbps規格上具技術領先地位，加上涵蓋DRAM、代工與封裝的端到端生產能力，
有望快速擴大市占。


在供應面，三星DRAM有效產能達50萬片、月總產能約65萬片，遠超競爭對手，使其再度掌
握記憶體市場主導權。DRAM訂單履約率目前僅約70％，能見度已延伸至2026年上半年。

報告也指出，儘管三星在供給端握有龐大優勢，但公司管理層刻意採取「更理性」策略，
不一味追逐市場熱潮，而是選擇與關鍵客戶合作，按照真實需求調整供給；旗下P4廠房超
過10萬片/月的設計產能，更為DRAM與代工兩大業務預留充足擴張空間。


此外，三星代工業務亦出現回溫，2nm製程接獲多筆訂單，利用率改善帶動獲利回升，雖
然產量仍需逐季提升，且尋求特斯拉以外的大客戶仍是當前首要任務，但大摩認為三星代
工的整體前景「明顯好轉」。


大摩預估，在供給吃緊的環境下，三星具備更強的定價能力，2026年每股盈餘（EPS）將
達14,464韓元，較目前市場共識的9,800韓元高出將近50％，若以2025年為基期，獲利更
有望暴增超過150％。




心得/評論：

三星電子只用兩季的時間就重返記憶體龍頭寶座

現在大摩報告指出HBM4技術領先

說明三星電子的研發方向正確

DRAM方面產能遠超競爭對手並且供不應求訂單履約率約70%

AI方面根據這篇
https://bit.ly/3LXS03g
[AI 특집] AI를 손 안에 담다: 온디바이스 최적화 기술의 혁신 – Samsung Newsroom Korea

 

節錄:

咸（Ham）大師表示：「在端側（On-Device）AI中，最大的瓶頸是記憶體頻寬和儲存裝置
的存取速度。」他說：「我們正在開發能智慧地調節記憶體與運算之間平衡的最佳化技術
。」

例如，並非把所有資料都放進記憶體中，而是設計成只在需要的時候才載入，藉此提升效
率。

咸大師補充說：「三星研究院已具備能讓參數規模達 300 億（30B）、模型大小超過
 16GB 的生成式模型，在不到 3GB 記憶體下運行的技術水準。」


咸明柱大師表示：「在端側（On-Device）AI時代，核心競爭力在於如何用相同的資源提
取出更高的效率。能在小小的晶片裡實現最大的智能，就是我們應該追求的技術方向。」

目前大多數大型語言模型都以「Transformer」架構為基礎。Transformer 會一次性檢視
整個句子並計算詞與詞之間的關係，雖然在理解語境方面十分優秀，但其缺點是：句子越
長，計算量會呈指數級成長。


咸明柱大師指出：「為了克服 Transformer 架構的限制，我們正在檢討各種技術途徑，
同時以 ‘在實際裝置中能有多高的效率’ 為核心進行評估。」他強調：「我們的目標不
只是改善既有方法，而是引入全新的方法論，打造『下一階段的架構』。」


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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.229.17.79 (臺灣)
※ 作者: madeinheaven 2025-11-25 14:36:43
※ 文章代碼(AID): #1f9Kv-RD (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1764052606.A.6CD.html
推 XXXXCOW: 都給你講1F 11/25 14:37
噓 joshddd: 又沒泡沫了 都你喊就好 尚書大人2F 11/25 14:37
推 GingFreecss: 台灣不知道為什麼做不出來3F 11/25 14:37
→ ohya111326: 海力士被彎道超車?4F 11/25 14:37
→ maimss: 記憶體起飛！5F 11/25 14:39
推 q8977452: 三星的彎道超車幾次囉 這次是真的嗎...6F 11/25 14:39
推 ru04hj4: 三星記憶體一直都很強啊7F 11/25 14:40
推 joshddd: 我猜是用稀疏矩陣算法 先計算被活化參數位置然後套用8F 11/25 14:40
→ fallinlove15: AI又沒泡沫了？10F 11/25 14:41
推 james80351: 脆上好像有人說海力士的HBM4要rework11F 11/25 14:42
噓 merom: 大摩：我買完了 大家可以進場了12F 11/25 14:42
推 Pipline: 抄完底沒泡沫啦13F 11/25 14:42
推 poeoe: 韓國太爽了 跟著這波AI起飛14F 11/25 14:45
推 carbooming: 收到 全力做多gg15F 11/25 14:47
推 as6633208: 讚讚16F 11/25 14:49
→ shannienie: 大摩就是出貨17F 11/25 14:57
噓 tsukuyomii: 三星還是放棄晶圓代工專心搞你的記憶體吧18F 11/25 14:57
→ olozil: 怎麼聽起來HBM沒什麼技術難度??19F 11/25 14:58
推 tony890415: D1c看起來有那麼回事20F 11/25 14:59
推 lc85301: 反觀21F 11/25 15:08
推 labbat: 彎道超車大成功，拓海22F 11/25 15:12
→ as6633208: 衝衝衝23F 11/25 15:12
推 kotorichan: 有$可以支援晶圓代工24F 11/25 15:29
→ kivan00: 韓國記憶體就很強 而且已經規畫HBM要上行動裝置25F 11/25 15:32
→ buttery: 反正都要送到台灣給台GG封裝，三星產量越多越好26F 11/25 15:35
噓 pf775: 還不是被臺積電屌打27F 11/25 15:36
→ buttery: 不過海力士跟美光居然落後了，不可思議。28F 11/25 15:36
→ akaiisme00: 三星報導先質疑29F 11/25 16:09
推 Terry2003xx: 前兩天有爆料設計缺陷30F 11/25 16:11
推 chang0453: 創意繼續噴31F 11/25 16:17
推 northsoft: 台灣的記憶體為什麼打不過？32F 11/25 17:24
推 rkilo: 這次比之前有可能多了，畢竟三星記憶體本來就強33F 11/25 17:54
推 war02090318: 這次三星hbm4強到連自己人都嚇到34F 11/25 17:55
→ yunf: 又是兩個字的記者
突然覺得台灣記者素質變好了35F 11/25 17:59
推 joeshiu: 你說得都對37F 11/25 18:03
→ yunf: 4nm工藝超屌台廠無法
他們還制定標準
光看到這文字就快高潮了 ai將無比快的抵達戰場
台g沒產能了38F 11/25 18:05

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