〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工廠力積電5日召開法說會，去年第四季稅後每股虧損收
斂到0.16元，今年營運展望樂觀，力積電總經理朱憲國指出，記憶體供給缺口預期將延續至
2026年下半年，力積電每月調漲記憶體代工價格，12吋邏輯IC代工價格已從1月起漲價、8吋
邏輯代工將從3月起漲；與美光合作聚焦三項，其中高頻寬記憶體（HBM）後段合作產線尚在
洽談與架設階段，後續需試產與量產爬坡，今年內無法貢獻營收，最快明年可看到成果，3D
 AI代工事業第四季營收約3%，3年後目標將提高到貢獻約20%。

朱憲國表示，記憶體的DRAM、Flash晶圓代工價格持續上升，由於高階AI伺服器排擠到中低
階PC、手機、消費性電子裝置產能，並推升DDR3、DDR4等成熟產品價格。韓系廠商退出SLC
NAND快閃記憶體市場，但網通、工控、消費電子需求不減反增，價格顯著上漲；NOR Flash
已完成客戶驗證，去年底開始放量，2026 年出貨將逐步提升，車規產品驗證進展正向。力
積電因記憶體代工產能供不應求，月月調漲價格。

朱憲國指出，邏輯代工產品自2026年1月起需求明顯回升，主要因AI伺服器帶動記憶體與邏
輯共用機台需求排擠產能、客戶去中化進行供應鏈與產能調整，形成供給缺口，加上銅鑼廠
售給美光導致公司產能限縮，刺激需求回升，造成供應出現缺口，特別是12吋驅動IC、感測
器需求回升，力積電從1月起已調漲報價。

他表示、電源管理IC因AI伺服器市場需求強勁，主力客戶去年第四季已完成工程驗證，並開
始放量，8吋產線中的IGBT大客戶雖需求下修，但AI伺服器與邊緣運算應用帶動整體功率元
件需求不減反增，包括MOSFET在內的相關產品需求持續升溫，2月起產能已無法滿足客戶需
求，供給明顯吃緊，公司規劃從3月起調漲8吋晶圓代工報價，並看好未來氮化鎵（GaN）與
矽電容等新產品線，將成為8吋廠的新一波成長動能。

朱憲國指出，該公司邏輯代工產品線在歷經數季需求沉澱後，已明顯自谷底回溫，隨著銅鑼
廠出售美光，相關機台與產線將陸續回流新竹廠區，有助於產能重新配置與效率提升。公司
預期，未來幾季包括8吋或12吋邏輯代工，需求動能都將顯著轉強，邏輯代工業務可望進入
加速成長階段。

力積電與美光的合作聚焦三項，朱憲國表示，一是出售銅鑼P5廠，力積電可拿到18億美元，
除了降低負債，並用來採購合作所需設備。二是承接HBM後段代工服務訂單，美光同意採預
付貨款用於設備購置，顯示訂單確定性高。三是共同精進DRAM技術。DRAM技術精進方向，目
前公司主力為4GB DDR3產品，未來將在容量與速度上明顯提升，導入更先進製程，因合約仍
在洽談，細節不便透露，但方向確定為超越現有規格。

他並說，力積電已確認與美光合作，未來1-2年將全力投入專案銜接，包含DRAM技術引進、
代工合作、分階段清空P5廠讓美光進駐等工程與商務細節，短期內無餘力與其他廠商展開大
規模合作。矽中介層（Interposer）產能調整，原計畫於P5廠將矽中介層產能擴至4000-500
0片/月；因P5出售給美光，已將產線搬遷至其他廠區並維持相近擴產規模，目前量產約2000
片/月，持續擴大且成長穩定，應用涵蓋穿戴裝置，主力聚焦邊緣運算相關物聯網應用。

朱憲國指出，力積電因應P5出售，原有產能移至P1、P2廠，調整後約5萬片/月產能用於生產
記憶體（DRAM與Flash），另有6萬片/月產能產能用於成熟製程邏輯晶片。P1、P2未來重點
為電源管理IC與3D先進封裝。8吋廠原有12萬片月產能，其中8B廠可能改裝以支援後段代工
如MOSFET等。