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作者 tanted (為何世界會那麼不單純)
標題 [新聞] 長鑫存儲拚部分產能給 HBM3！韓媒憂與中
時間 Sun Feb 15 23:04:17 2026

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原文標題：

長鑫存儲拚部分產能給 HBM3！韓媒憂與中國差距「縮小至三年」

原文連結：
https://technews.tw/2026/02/11/cxmt-hbm3-race/
長鑫存儲拚部分產能給 HBM3！韓媒憂與中國差距「縮小至三年」 | TechNews 科技新報 中國長鑫存儲正擴大在 HBM 市場布局，以把握 AI 熱潮帶來的機會。據悉，該公司正計劃將相當大一部分 DRAM 產出轉換為 HBM。 隨著近年 DRAM 產業競爭日益激烈，也為長鑫存儲等中國記憶體廠商打開新機會。根據韓媒 MK 報導，長鑫存儲計劃在今年將 DRAM 產能擴充至每月 30 萬片晶圓， ...

 

發布時間：
2026 年 02 月 11 日

記者署名：
林 妤柔

原文內容：
中國長鑫存儲正擴大在 HBM 市場布局，以把握 AI 熱潮帶來的機會。據悉，該公司正計
劃將相當大一部分 DRAM 產出轉換為 HBM。

隨著近年 DRAM 產業競爭日益激烈，也為長鑫存儲等中國記憶體廠商打開新機會。根據韓
媒 MK 報導，長鑫存儲計劃在今年將 DRAM 產能擴充至每月 30 萬片晶圓，其中約 20%、
即約 6 萬片晶圓將投入 HBM3 生產。


為了拉開與中國技術追趕的距離，韓國半導體企業也加快腳步，三星本月底起將率先於全
球開始為 NVIDIA 供貨的 HBM4 量產。兩間韓國大廠則於 2023 年開始量產 HBM3。

報導指出，韓中之間的技術差距，在 HBM3 前一代產品約為 4 年，但在 HBM3 世代已縮
小至 3 年。據推估，三星與 SK 海力士投入 HBM 用 DRAM 的晶圓數量，各約在 15 萬片
。


相較於中國在 NAND Flash 技術差距約 1 年、與 DRAM 差距約 2 年，目前距離已經逐步
縮小。HBM 一直被視為中國半導體技術明顯落後的領域，但隨著中國積極推動 AI 半導體
與 HBM 的研發，雙方在 HBM 的技術差距也逐步拉近。


業界人士透露，在中國主導 AI 半導體開發的華為，正與長鑫存儲攜手投入 HBM 研發，
即便良率偏低，仍預期會直接進入量產階段。

隨著技術差距逐步縮小，美國科技企業也開始認真評估採用中國製的記憶體產品。據中媒
快科技、日經等報導接指出，包含 HP、戴爾、宏碁、華碩等 PC 廠商都在評估採用長鑫
存儲的 DRAM，以解決記憶體供應不足問題。但市場也擔心，一旦供給回到充足水準，業
者可能會轉而改用中國製產品。


業界傳出三星將率先全球量產並供應 HBM4 給 NVIDIA，量產出貨時間最快已敲定在本月
第三週。據報導，三星電子已通過 NVIDIA 的品質測試並取得採購訂單（PO），SK 海力
士也已向 NVIDIA 供應付費樣品，並預計在第一季內開始量產供貨。


據悉，華為擴大 AI 晶片產量的最大瓶頸是 HBM，而非半導體本身，因為這家晶片巨頭一
直依賴出口管制前從三星累積的庫存。目前中國正努力縮小與國際廠商在 HBM 市場的差
距，但長鑫存儲 HBM3 解決方案目前尚未進入主流市場。


目前中國 HBM3 主要疑慮在良率，因為在無法取得 EUV 設備的情況下，長鑫存儲目前只
能採用多重曝光製程。若長鑫存儲在 HBM 生產上取得突破，未來一部分 DRAM 產能可能
將轉向 HBM。



心得/評論：
新聞最會：把「計畫」寫成「量產」，
把「量產」寫成「拿到大單」，
最後散戶寫成「我套在高點」。
最怕的是：中國還沒追上，
市場先把你當成「可能被追上」來殺估值。

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 123.193.229.55 (臺灣)
※ 作者: tanted 2026-02-15 23:04:17
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推 jay3u7218: 千萬不要小看中國....1F 02/15 23:08
推 CRonaldo07: 很多產業被中國捲爛2F 02/15 23:10
噓 angellll: 自己洩漏機密給中國 在演什麼？3F 02/15 23:12
推 pns215: 最大問題是沒設備可以生產吧...而且去看對岸科技巨頭今年的支出，他們自己也是缺到不行4F 02/15 23:14
推 gtaped05550: 記憶體崩盤6F 02/15 23:14
推 tony890415: 南亞科華邦電 繼續噴 長鑫去做HBM DDR4 還是沒人做7F 02/15 23:17
推 opticalman: 對岸缺的是先進邏輯芯片，中芯良率輸給台積太多了8F 02/15 23:20
推 lnonai: 中國做HBM XD XD XD9F 02/15 23:25
推 jerry10307: 牙科不是成立HBM公司，到底有沒有進展10F 02/15 23:31
推 opticalman: 對岸卡在先進邏輯晶片產能有限，記憶體產能再多也沒用11F 02/15 23:32
噓 Luwan: 世界卷王一出手就知道有沒有13F 02/15 23:35
推 rayisgreat: 老實說不太可能，HBM技術也在持續發展14F 02/15 23:37
→ JJJZZs: 還在HBM3 3連快被取代的rubin都不用15F 02/15 23:38
推 TroyeSivan: 開盤要幾根跌停呢16F 02/15 23:38
→ rayisgreat: 只要中國拿不到EUV一天，就會離三星海力士美光越遠先進製程早在N7就進入EUV，EUV在HBM上只會越來越多17F 02/15 23:38
推 squeakywheel: 別擔心 某族群都說中國崩19F 02/15 23:43
推 c41231717: 不知道良率怎麼樣 一定程度還是能靠政治性補貼來補不過泡菜自己技術外洩出去 被卷死剛好而已20F 02/15 23:47
推 madeinheaven: 產能轉HBM喔 這樣DRAM又會更貴了22F 02/15 23:50
推 AxlRose: 華邦或成最大贏家23F 02/15 23:53
推 for767: 卷爛DDR4就夠了！24F 02/15 23:55
推 junior020486: 還可以賺3年25F 02/15 23:58
推 tony890415: 亂講HBM 跟EUV沒有那麼絕對必然的關係 EUV是advance node 的DRAM 但是HBM是封裝鍵合技術
用稍落後的DRAM wafer來做就是成本高一點而已 外圍CMOS搞一下 做高速HBM 又沒問題26F 02/15 23:59
推 rayisgreat: HBM3大概可吧，HBM4之後BaseDie記得都用到N4以下了上面HBM持續進化，BaseDie不可能keep在成熟製程節點30F 02/16 00:04
推 ggirls: 幸好台灣只做低階藍海，噴。32F 02/16 00:07
推 madeinheaven: 三星HBM4 邏輯基礎晶粒用4nm 未來要用2nm33F 02/16 00:08
推 daisy72113: 韓國被中國教訓幾次了，學不乖，活該34F 02/16 00:08
推 rayisgreat: 嗯嗯，現在Rubin HBM4的basedie，都用到EUV製程了35F 02/16 00:10
推 schumi7401: 寫文章來帶空記憶體的用講的都沒實踐36F 02/16 00:10
→ rayisgreat: 三星是用自家代工的N4，海力士印象是跟台積合作的N3中國就算能搞好上層DRAM，base用落後邏輯製程也沒用中國發展HBM，跟先進製程一樣撞到EUV這堵牆是遲早事37F 02/16 00:11
推 madeinheaven: DRAM後面會進入到10nm以下製程 會更難做40F 02/16 00:19
噓 MartianIT: 中國謝韓國送技術 頗呵41F 02/16 00:22
推 rayisgreat: 嗯嗯所以才說中國大概有辦法搞出HBM3，但也就這樣了42F 02/16 00:24
→ HiuAnOP: 中國：謝謝三星43F 02/16 00:26
→ rayisgreat: 沒有EUV機台，HBM是永遠無法追上美光三星海力士的44F 02/16 00:26
推 wei9898: 中國怎麼會HBM的，這個韓國自己搞得吧？45F 02/16 00:27
→ RaiGend0519: 內卷　啟動！
問題在於如果中國要發展自己的AI基建與體系
真的有必要非得跟三星並駕齊驅才能開始建設嗎？46F 02/16 00:29
推 rayisgreat: 中國用自家中芯N7+弄好HBM3應該還是能搞搞內需體系，只不過5-10年後AI晶片可能都已是A10製程+HBM6了，中國還是卡在N7+HBM349F 02/16 00:40
→ z7956234: 產線就滿的，還要分產能去做HBM，那你在跟我說說其它人要去跟長鑫買記憶體顆粒的是買不買得到，一樣，記憶體沒有頹勢52F 02/16 00:45
推 mind324: 禁售啊 緊張哦55F 02/16 00:52
推 jack990568: 恐只領先三年 笑出來56F 02/16 00:57
推 homerunball: 記憶卡蛙與世界卷王終須一戰57F 02/16 01:02
推 kanehhh: 安啦！韓國記憶體護城河很深的58F 02/16 01:03
推 a1e: 記憶體現在還沒摸到10nm以下製程，大陸擴產其實難度沒有邏輯晶片高
HBM3以後記得就推進到10nm以下，這部份大陸應該還沒打算量產HBM3以後的東西
DDR4和DDR5現在10nm以上製程就夠用了59F 02/16 01:16
推 david3033: 李在明：看我幹嘛64F 02/16 01:30
推 hifroge: 沒有EUV  那 base die 要誰做，用中芯的嘛65F 02/16 01:33
推 kinki999: 不就韓國送技術的，人家管制一直開廠66F 02/16 01:33
→ mq778: 超好笑還差3年，3年後都不知道什麼社會了擔心什麼67F 02/16 01:39
推 swgun: 這公司為了上市炒作什麼新聞寫不出來
春節後IPO 誰都知道話只能信三成68F 02/16 01:49
推 fluffyradish: 鬼故事！！！！70F 02/16 01:52
推 amos30627: Dram本身就要用EUV了 Base die已經在用EUV了 所有都用DUV做到極限就是成本爆炸 性能還輸人一大截71F 02/16 02:04
推 mainsa: 現在做hbm 3是誰要用？？？？73F 02/16 02:37
推 wicer5566: 尊都假都 HBM3要賣給誰74F 02/16 02:42
推 temwif: 現在記憶體會這麼貴，就是美光三星海力士分產量去給hbm，長鑫也來，記憶體就繼續噴75F 02/16 03:49
推 tobbaco: 韓國自找的77F 02/16 04:12
推 kkchen: 大家都不喜歡買便宜的東西，難怪台灣貨物越貴越多人買，中國便宜貨早晚會被台灣淘汰。78F 02/16 06:26
推 s58565254: 中國又要卷掉一個產業了80F 02/16 06:41
推 rockmaxdash: Dram產能又變少囉 牙科上100081F 02/16 06:59
噓 LEOOOO: 中國HBM OK82F 02/16 08:19
推 s213092921: 國產hbm要來了83F 02/16 08:57
推 cphe: HBM4產能不夠當然就退而求其次了  要不然怎麼辦84F 02/16 09:17
推 cityport: 騙長鑫拿產能換良率，最後跟中芯一樣賺不到錢
兩個製成落後的晶片封裝在一起就能大躍進？85F 02/16 09:21
推 asidy: 只要美國禁用中國的，台韓就沒關係啦87F 02/16 09:33
→ aaa80563: 中又贏88F 02/16 09:43
→ h1y2c3y2h1: 韓是中國的技術農場89F 02/16 09:51
噓 peter0928: 還不是韓國自己一手養大的90F 02/16 10:00
→ a9564208: 三年投資回收了吧？91F 02/16 10:02
推 lalasam: 記憶體年後開噴92F 02/16 10:06
推 Xray2002: 跟當年面板OLED有87%像93F 02/16 10:15
→ aiggkimd: 有這麼簡單就拉近？94F 02/16 11:00
推 jceefailurer: 嘉偉老師記憶體空單大獲全勝95F 02/16 11:17
推 as6633208: hbm3 可能 未來 end96F 02/16 13:45
推 raymond501: 挖角很容易的97F 02/16 13:50
推 susanna026: 「該公司正計劃將相當大一部分 DRAM 產出轉換為 HBM」～》覺得 計畫就是畫一個餅 吹的好像已經量產上市一樣吧？
要空不是這樣吹吧？98F 02/16 17:22
推 bluepokil: 別急，明天就開盤了102F 02/16 17:48
→ Peter911: 不要小看中國這句話我已經看二十年了 請問EUV造出來了嗎
中國除了偷搶拐騙還有啥招103F 02/16 17:51

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