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標題 [情報] 三星祭出激進降價策略 力拚追趕HBM競賽
時間 Tue Oct 28 01:00:25 2025
標題 [情報] 三星祭出激進降價策略 力拚追趕HBM競賽
時間 Tue Oct 28 01:00:25 2025
原文：
Samsung launches aggressive price-cut strategy to catch up in HBM competition
HBM continues to be a critical resource as the AI boom is further tightening s
upply and demand in the memory industry. Memory leader Samsung Electronics is
fixated on reclaiming its dominance, reportedly launching a 30% price cut stra
tegy in an attempt to catch up after delays in its 12-layer HBM3E certificatio
n.
With HBM4 expected to emerge in 2026, Samsung is anticipated to maintain its a
ggressive pricing edge, with initial quotes about 6-8% lower than those of SK
Hynix.
Samsung's 12-layer HBM3E began shipments to Nvidia in the fourth quarter of 20
25. Although the estimated shipment volume for the quarter was tens of thousan
ds of units, it is still considered too late relative to its two main rivals.
SK Hynix began mass production of 12-layer HBM3E in the second half of 2024, a
nd Micron successfully cleared certification in early 2025, driving strong rev
enue and profit growth throughout the year. Despite now supplying 12-layer HBM
3E to US GPU makers, Samsung had struggled to meet Nvidia's thermal and certif
ication standards for months.
After about eighteen months of repeated testing and revisions, Samsung finally
cleared all certification hurdles in the second half of 2025, joining SK Hyni
x and Micron as NVIDIA's third approved HBM3E supplier. However, SK Hynix and
Micron had already locked in sales allocations through 2026, putting Samsung a
t a disadvantage. Furthermore, Samsung's thermal issues have not been resolved
, so its products still run hotter than rivals' and require integration with l
iquid-cooled AI servers.
Samsung races to stabilize yields The average HBM3E price is expected to decli
ne in 2026. Samsung has already taken the lead with steep price reductions, wi
th around 30% lower than its competitors. The company's previous generation 1b
DRAM node suffered from poor yields and design issues, adding pressure for Sa
msung to avoid another setback in the upcoming HBM4. Therefore, Samsung has ju
mped directly to the more advanced 1c DRAM node for HBM4.
Samsung's HBM4 certification results are expected in November, though the shif
t to 1c DRAM also raises concerns about potential yield instability. Meanwhile
, SK Hynix announced in September that its HBM4 mass-production preparations a
re complete. It can begin shipments as soon as key customers give the green li
ght. SK Hynix has taken a more cautious approach, using TSMC's 12nm process fo
r its base die and stacking its in-house 1b DRAM.
However, structural changes in the HBM4 process have increased overall product
ion costs, and early market forecasts suggested that SK Hynix's HBM4 could be
priced 60-70% higher than the previous generation. However, recent estimates s
uggest that HBM4's price hike may fall short of expectations. HBM4 costs rough
ly 30% more than its predecessor, and the added TSMC logic die accounts for ab
out 20% of the total production cost. With intensifying supply for HBM4 in 202
6, this could limit SK Hynix's price increase to around 20%.
Despite the memory industry growing through rising HBM shipments and unit pric
es, SK Hynix could face profit margin pressure as it seeks to defend its domin
ance in the HBM market. Sights on HBM4 market share Micron recently announced
that it has begun shipping 12-layer HBM4 samples, boasting 2.8TB/s bandwidth a
nd speeds of up to 11Gbps, exceeding JEDEC's official 8Gbps specification. Sam
sung has showcased similar HBM4 specifications and is targeting the first quar
ter of 2026 for shipments. It plans to regain market share through aggressive
pricing, reportedly offering discounts several percentage points deeper than c
ompetitors. However, it has yet to receive formal approval from Nvidia for HBM
4 supply.
Micron has expressed confidence that its HBM market share in 2026 will exceed
that of 2025, suggesting that any market shifts that come as HBM4 competition
begins are unlikely to have a material impact on its position.
翻譯：
三星祭出激進降價策略 力拚追趕HBM競賽
隨著AI熱潮推動記憶體市場的供需更加吃緊，HBM（高頻寬記憶體）持續成為關鍵資源。
記憶體龍頭三星電子（Samsung Electronics）為了奪回主導地位，據傳祭出最高達三成
的降價策略，企圖在12層HBM3E產品認證延誤後迅速追趕對手。
記憶體龍頭三星電子（Samsung Electronics）為了奪回主導地位，據傳祭出最高達三成
的降價策略，企圖在12層HBM3E產品認證延誤後迅速追趕對手。
由於HBM4預計將於2026年問世，三星預期將維持激進的價格策略，初期報價比SK海力士（
SK Hynix）低約6%至8%。
三星的12層HBM3E已於2025年第四季開始出貨給NVIDIA，雖然季度出貨量達數萬顆，但相
較於兩大競爭對手仍屬落後。
SK海力士早在2024年下半年就已量產12層HBM3E，美光（Micron）也於2025年初順利通過
認證，帶動全年營收與獲利大幅成長。相較之下，三星過去數月一直無法通過NVIDIA在散
熱與認證方面的嚴格要求。
認證，帶動全年營收與獲利大幅成長。相較之下，三星過去數月一直無法通過NVIDIA在散
熱與認證方面的嚴格要求。
經歷約18個月的反覆測試與修正後，三星終於在2025年下半年通過所有認證門檻，正式成
為繼SK海力士與美光之後，NVIDIA第三家獲准的HBM3E供應商。然而，由於SK海力士與美
光已預先鎖定至2026年的銷售配額，使三星在時程上仍居劣勢。此外，三星的散熱問題尚
未完全解決，其產品運作溫度仍高於競爭對手，需要搭配液冷式AI伺服器使用。
為繼SK海力士與美光之後，NVIDIA第三家獲准的HBM3E供應商。然而，由於SK海力士與美
光已預先鎖定至2026年的銷售配額，使三星在時程上仍居劣勢。此外，三星的散熱問題尚
未完全解決，其產品運作溫度仍高於競爭對手，需要搭配液冷式AI伺服器使用。
三星全力穩定良率
2026年HBM3E平均價格預料將下滑，三星已率先祭出約比同業低30%的大幅降價。由於前一
代1b DRAM製程良率不佳且設計問題頻傳，三星面臨巨大壓力，必須避免在即將推出的HBM
4再次失利，因此決定直接跳過1b節點，採用更先進的1c DRAM製程開發HBM4。
代1b DRAM製程良率不佳且設計問題頻傳，三星面臨巨大壓力，必須避免在即將推出的HBM
4再次失利，因此決定直接跳過1b節點，採用更先進的1c DRAM製程開發HBM4。
HBM4的認證結果預計在11月揭曉，但轉向1c製程也引發外界對良率穩定性的疑慮。
另一方面，SK海力士已在9月宣布完成HBM4量產準備，一旦主要客戶點頭，即可開始出貨
。SK海力士採取較保守策略，使用台積電（TSMC）的12奈米製程作為基底晶片（base die
），上層堆疊則為自家1b DRAM。不過，HBM4製程結構變動導致整體生產成本增加，早期
市場預測指出，HBM4價格可能比前一代高出60%至70%。
。SK海力士採取較保守策略，使用台積電（TSMC）的12奈米製程作為基底晶片（base die
），上層堆疊則為自家1b DRAM。不過，HBM4製程結構變動導致整體生產成本增加，早期
市場預測指出，HBM4價格可能比前一代高出60%至70%。
然而，最新估計顯示HBM4漲幅可能不如預期，成本僅約比前一代高出30%，其中台積電邏
輯晶片約占總成本的20%。隨著2026年HBM4供應量增加，SK海力士的實際漲價幅度可能被
壓縮至約20%。
輯晶片約占總成本的20%。隨著2026年HBM4供應量增加，SK海力士的實際漲價幅度可能被
壓縮至約20%。
儘管HBM出貨量與單價提升帶動整體記憶體產業成長，SK海力士在守住市場龍頭地位的同
時，利潤率恐面臨壓力。
力拚HBM4市占率
美光近日宣布已開始出貨12層HBM4樣品，頻寬達2.8TB/s、速度最高可達11Gbps，超越JED
EC正式規範的8Gbps。三星也展示了類似規格的HBM4產品，預計在2026年第一季出貨，並
以更具侵略性的價格策略爭取市占率，報導指出三星的報價比競爭對手再低數個百分點。
但目前仍未獲得NVIDIA對HBM4供應的正式批准。
EC正式規範的8Gbps。三星也展示了類似規格的HBM4產品，預計在2026年第一季出貨，並
以更具侵略性的價格策略爭取市占率，報導指出三星的報價比競爭對手再低數個百分點。
但目前仍未獲得NVIDIA對HBM4供應的正式批准。
美光則對其市場地位充滿信心，預期2026年HBM市占率將高於2025年，顯示即便HBM4競爭
開打，市場結構的變化對其影響仍有限。
出處：Siu Han, Taipei; Emily Kuo, DIGITIMES Asia.
Monday 27 October 2025.
https://www.digitimes.com/news/a20251027PD203/samsung-hbm4-price-competition-s
Samsung launches aggressive price-cut strategy to catch up in HBM competition HBM continues to be a critical resource as the AI boom is further tightening supply and demand in the memory industry. Memory leader Samsung Electroni ...
心得：美股記憶體消息出來後轉跌，明天台股開盤，記憶體相關個股會電梯向_？
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.64.29.164 (臺灣)
※ 作者: qwertymax56 2025-10-28 01:00:25
※ 文章代碼(AID): #1e_wKiCm (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1761584428.A.330.html
噓 : 繼續噴啊1F 10/28 01:08
→ : 跌HBM吧 DRAM應該影響不大2F 10/28 01:11
推 : 加油喔請繼續空3F 10/28 01:26
推 : 群聯越關越細漢，明天跌停4F 10/28 01:49
→ : 不錯呦，降價競爭的價格戰要來了。5F 10/28 01:52
推 : 慘了 美光大跌0.21% 明天記憶體死定了6F 10/28 02:07
推 : 三星的人被海力士挖光了可憐哪7F 10/28 02:09
噓 : 反著看8F 10/28 02:17
→ : 能做出來 夠便宜 就有機會 但前提是產品能力9F 10/28 02:19
推 : 哈真的笑死 HBM這種東西要降價？ 空軍很抖喔10F 10/28 02:54
噓 : 中華民國大廠沒有出記憶體嗎11F 10/28 03:17
→ : 三星好忙..一邊代工降價要超車,一邊HBM也降價想超車12F 10/28 03:39
推 : 攻城掠地13F 10/28 03:42
推 : 產能有限吧 能搶到多少單?14F 10/28 03:51
→ : 三星是想學中國那套賠錢賺吆喝嗎？
中國企業最愛搞價格戰鬥垮友商才能一家獨大。15F 10/28 05:06
中國企業最愛搞價格戰鬥垮友商才能一家獨大。15F 10/28 05:06
推 : 99MU17F 10/28 05:19
推 : HBM概念股要噴了18F 10/28 05:27
噓 : 三爽除了降價還有新招嗎？對！造假19F 10/28 05:39
噓 : 記憶體網紅搞笑蛙 最後一割 啊哈哈哈20F 10/28 06:22
推 : 主力救救我21F 10/28 06:33
→ : 一個東西降價賣就完了22F 10/28 06:33
→ : 我覺得是誘空啦，昨天買那麼多，今天一定繼續嘎23F 10/28 06:33
推 : 東西爛不爛一回事 是誠信問題吧24F 10/28 06:59
推 : 三星也說兩奈米要降價搶單 每次看到都覺得這間公司沒招了 技術輸比別人慢然後都放話要降價搶25F 10/28 07:05
推 : 三星每次跳過節點都GG,看這次一不一樣...27F 10/28 07:14
推 : 丸了28F 10/28 07:59
推 : 看韓狗卷成狗94爽29F 10/28 08:06
推 : 台灣又不是HBM嘻嘻30F 10/28 08:24
推 : 可以用在我的電腦上面嗎31F 10/28 09:27
推 : 簡單又粗爆但是有用32F 10/28 11:05
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