回看板
Disp BBS
作者 madeinheaven ()
標題 [新聞] 三星突破 10 奈米瓶頸，新電晶體有望重
時間 Wed Dec 17 16:57:39 2025


原文標題：

三星突破 10 奈米瓶頸，新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局

原文連結：
https://bit.ly/4qjvyAB
三星突破 10 奈米瓶頸，新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局 | TechNews 科技新報 三星電子 16 日宣布，該公司及其三星先進技術研究所（SAIT）成功開發出一種新型電晶體，能夠在 10 奈米以下的製程節點上生產 DRAM，這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關鍵挑戰。這項技術的重點在於實現小於 10 奈米的 DRAM 製程，這對於行動 RAM 來說是一個重要的障礙，因為傳統的擴展 ...

 

發布時間：

2025 年 12 月 17 日 10:10

記者署名：

※原文無記載者得留空

原文內容：

三星電子 16 日宣布，該公司及其三星先進技術研究所（SAIT）成功開發出一種新型電晶
體，能夠在 10 奈米以下的製程節點上生產 DRAM，這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關
鍵挑戰。這項技術的重點在於實現小於 10 奈米的 DRAM 製程，這對於行動 RAM 來說是
一個重要的障礙，因為傳統的擴展方法已經達到物理極限。


三星的這項創新專注於0a和0b類DRAM，這些新型記憶體有望顯著提升未來裝置的容量和性
能。根據報導，這項技術仍處於研究階段，未來將應用於小於10奈米的DRAM產品。

在此次宣布中，三星介紹了其名為「高耐熱非晶氧化物半導體電晶體」的技術，該電晶體
能承受高達攝氏550度的高溫，進而防止性能下降。這種垂直通道電晶體的通道長度為100
奈米，並可與單片CoP DRAM架構集成。


在測試中，該電晶體的排水電流幾乎沒有衰退，並且在老化測試中表現良好。這個技術的
推出，將使三星在高密度記憶體市場中更具競爭力，並可能在2026年及以後的裝置中首次
亮相。


心得/評論：

恭喜三星重大突破 利用InGaO技術實現10nm以下DRAM製程

根據此前報導三星計畫在2025年推出1c DRAM (HBM4)

2026年推出1d DRAM 2027年推出10nm以下0a DRAM

今天三星電子股價107900 +4.96%

不管什麼晶片 通通都需要記憶體~!!!

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.225.47.20 (臺灣)
※ 作者: madeinheaven 2025-12-17 16:57:39
※ 文章代碼(AID): #1fGd25mQ (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1765961861.A.C1A.html
※ 編輯: madeinheaven (36.225.47.20 臺灣), 12/17/2025 17:05:37
推 win8719: 等商用在說1F 12/17 17:04
噓 pf775: 韓國人有技術？2F 12/17 17:21
推 chinaeatshit: 韓國又双叒彎道超車了3F 12/17 17:43
推 chrischiu: dram韓國人本來就是最強4F 12/17 18:08
推 motan: 中國競爭壓力大5F 12/17 18:52
推 Legend871216: 後面難度可是指數級的成長6F 12/17 20:24

--
作者 madeinheaven 的最新發文:
點此顯示更多發文記錄